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- 二极管配置
- 独立式
- 稳压值(标称值)
- 33V
- 反向电流(Ir)
- 500nA@25.1V
- 稳压值(范围)
- 31.35V~34.65V
描述特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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近期成交34单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 33V
- 反向电流(Ir)
- 1uA
- 稳压值(范围)
- 31.3V~34.9V
描述特性:总功耗:最大1.5W。 宽齐纳反向电压范围3.6V至200V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装
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近期成交8单
- 二极管配置
- 独立式
- 稳压值(标称值)
- 33V
- 反向电流(Ir)
- 500nA
- 稳压值(范围)
- 31.35V~34.65V
描述特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品
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近期成交6单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 33V
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- 500nA@25.1V
- 稳压值(范围)
- 31.35V~34.65V
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