- 类目
- 稳压二极管
- 品牌
- onsemi(安森美)
- TECH PUBLIC(台舟)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Zhengxin(正芯)
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- SMB(DO-214AA)
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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库存交期
操作
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 12V
- 反向电流(Ir)
- 1uA
- 稳压值(范围)
- 11.4V~12.6V
描述特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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- 对比
- ￥0.988
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- ￥0.6794
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- ￥0.4895
- ￥0.4586
- 现货
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2500个/圆盘
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近期成交83单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 12V
- 反向电流(Ir)
- 1uA@9.1V
- 稳压值(范围)
- 11.4V~12.6V
描述特性：功率耗散（Pd）：3.0W。 齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。 玻璃钝化芯片。 标记条指示阴极。应用：稳定电压
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近期成交2单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 12V
- 反向电流(Ir)
- 1uA@9.1V
- 稳压值(范围)
- 11.4V~12.6V
描述该稳压二极管具有12V的反向击穿电压（VR），在正常工作时正向导通电流（IF）为31.2mA，正向导通压降（VF）为1.5V，表现出良好的导通特性。在反向截止状态下，漏电流（IR）仅为1μA，具备优异的阻断能力。该器件适用于需要稳定参考电压的电路，常用于电源管理、信号调理及电压钳位等场景，可为敏感电路提供过压保护，同时在直流电源转换和小型电子设备中实现电压基准功能，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。
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- ￥0.641665
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近期成交2单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 12V
- 稳压值(范围)
- 11.4V~12.6V
- 耗散功率(Pd)
- 550mW
描述特性：齐纳电压范围：3.3 V至200 V。 人体模型3级静电放电等级（> 16 kV）。 扁平操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶面或底面电路板安装
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- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 12V
- 反向电流(Ir)
- 1uA@1V
- 稳压值(范围)
- 11.4V~12.6V
描述特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
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- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 12V
- 反向电流(Ir)
- 1uA@9.1V
- 耗散功率(Pd)
- 550mW
描述ZENER齐纳二极管广泛用于电源电路，用于稳压和过压保护，电源储能、工控电路、通讯设备、智能控制
SMT扩展库
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