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16K I²C串行EEPROM
24LC16BT-I/SN
品牌
MICROCHIP(美国微芯)
封装
SOIC-8
类目
EEPROM
编号
C5456
接口类型
I2C
存储容量
16Kbit
时钟频率(fc)
400kHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述24AA16/24LC16B(24xx16*)是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该器件由8个256x8位的存储块组成,采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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16K I²C串行EEPROM
24LC16BT-I/SN-TUDI
品牌
TD(钍地半导体)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C41411004
接口类型
I2C
存储容量
16Kbit
时钟频率(fc)
400kHz
写周期时间(Tw)
3ms

描述24AA16/24LC16B(24XX16)是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该器件由八个256×8位的存储块组成,并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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替代参考
16Kbit串行EEPROM,宽电压操作,I2C接口
HX24LC16BDRG
品牌
HGC(深圳汉芯)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C2987259
接口类型
I2C
存储容量
16Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM,支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作,工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口,最大时钟频率为 1MHz(5V),400kHz(1.8V, 2.5V, 2.7V)。具有硬件写保护功能,写周期寿命为 1 百万次,数据保留时间为 100 年。

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替代参考
宽电压、多容量串行EEPROM
AT24LC16M/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C3007890
接口类型
I2C
存储容量
16Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述AT24LC02 / AT24LC04 / AT24LC08 / AT24LC16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24LC02 / AT24LC04 / AT24LC08 / AT24LC16 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT23 封装,可通过两线串行接口访问

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替代参考
2K/4K/8K/16Kbit 串行EEPROM
HG24LC16M/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C3007881
接口类型
I2C
存储容量
16Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述HG24LC02/04/08/16提供2K/4K/8K/16K位的串行电可擦除存储器,适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。支持1 MHz (5V) 和 400 kHz (1.8V, 2.5V, 2.7V) 的时钟频率,工作电压范围为1.7V至5.5V,工作温度范围为-40°C至+85°C。

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