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参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 驱动配置
- 低边;高边
- 负载类型
- IGBT
- 驱动通道数
- 2
- 灌电流(IOL)
- 2A
描述2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电,也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外,2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外,还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器,可用于例如电流测量或过流检测。
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