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- 三极管(BJT)
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(100-300) PNP 电流:600mA 电压:60V

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C358534

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 625mW

描述TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。

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SMT补贴嘉立创库存7623

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hfe=30~300 PNP 电流:600mA 电压:60V

品牌: ST(先科)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C118537

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 625mW

描述用于开关和音频放大器应用的PNP硅外延平面晶体管。该晶体管根据其直流电流增益细分为一组。推荐使用NPN晶体管ST 2N2222和ST 2N2222A作为互补类型

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3271

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2N2907AU 2907A

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C5362129

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 625mW

描述用于开关和音频放大器应用。晶体管根据其直流电流增益细分为一组。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4252

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2N2907 2F-TD(0.26)

品牌: TDSEMIC(拓电半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C53064168

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 800mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 625mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存2830

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现货: 2800

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近期成交2单

PNP 电压:40V

品牌: ALJ(龙晶微)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C22751484

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 625mW

描述特性：有互补NPN类型（2N2222A）

SMT扩展库

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50+￥0.1008
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近期成交2单

2N2907

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229642

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 800mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 625mW

描述晶体管类型：NPN。集电极电流ICM:800MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:60V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:340V 直流电流增益HFE:100-200

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5000+￥0.061456
20000+￥0.054556
50000+￥0.050784

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近期成交4单

2N2907A

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229643

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 800mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 625mW

描述晶体管类型：NPN。集电极电流ICM:800MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:60V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:340V 直流电流增益HFE:100-200

SMT扩展库

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近期成交1单

PNP 电流:600mA 电压:60V

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SMD-3P

类目: 三极管(BJT)

编号: C3202392

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

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SMT补贴嘉立创库存3

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1+￥86.69
10+￥75.24
30+￥68.26

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现货: 3

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近期成交2单

2N2907

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: -

类目: 三极管(BJT)

编号: C22441305

SMT扩展库

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1+￥59.1
10+￥51.27
30+￥46.5

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现货: 10

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PNP小信号硅晶体管

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-206AA

类目: 三极管(BJT)

编号: C3646989

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10

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1+￥69.47
10+￥60.39
30+￥54.86

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现货: 10

10个/管

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PNP小信号硅晶体管

JANTXV2N2907AUB

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SMD-4P

类目: 三极管(BJT)

编号: C3202294

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

RoHS

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对比

1+￥75.1985
50+￥73.2368
100+￥71.929
250+￥70.6212

订货9-11个工作日

库存: 538

增量: 1

最小包装: 1个

个

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2N2907A

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18

类目: 三极管(BJT)

编号: C5444761

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

SMT扩展库

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1+￥8.36
10+￥6.94
25+￥6.16
100+￥5.28
500+￥4.89
1000+￥4.72

需订货

现货: 0

25个/管

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PNP 电流:600mA 电压:60V

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-206AA-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C2832491

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

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1+￥29.31
10+￥28.67
30+￥28.24
100+￥27.81

需订货

现货: 0

1000个/袋

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总额￥0

近期成交6单

JANTX2N2907A

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C2997908

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

SMT扩展库

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对比

1+￥41.61
10+￥34.69
30+￥30.47
100+￥26.94

需订货

现货: 0

1000个/袋

个

总额￥0

JANTX2N2907AUB

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SMD-4P

类目: 三极管(BJT)

编号: C3202360

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

SMT扩展库

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对比

1+￥55.07
10+￥53.8
30+￥52.95
100+￥52.1

需订货

现货: 0

490个/托盘

个

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PNP 600mA 60V

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SMD-3P

类目: 三极管(BJT)

编号: C5495842

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

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对比

1+￥83.27
10+￥71.76
30+￥64.74
100+￥58.86

需订货

现货: 0

490个/托盘

个

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近期成交3单

2N2907AUA

品牌: OPTEK

封装: SMD

类目: 三极管(BJT)

编号: C5503489

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 400mW

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对比

2N2907AUB

品牌: OPTEK

封装: SMD

类目: 三极管(BJT)

编号: C6996965

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

直流电流增益(hFE): 100

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对比

JANSF2N2907AL

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C17199330

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

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对比

1+￥2037.63
200+￥813.03
500+￥785.86
1000+￥772.44

需订货

现货: 0

1个/袋

个

总额￥0

JANSD2N2907AL

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C17236509

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

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对比

1+￥1977.94
200+￥789.22
500+￥762.84
1000+￥749.81

需订货

现货: 0

1个/袋

个

总额￥0

2N2907AP

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C20290529

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 1.8W

SMT扩展库

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对比

1+￥210.7
200+￥84.08
500+￥81.27
1000+￥79.88

需订货

现货: 0

1个/袋

个

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JANTXV2N2907AUBC/TR

JANTXV2N2907AUBC/TR

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: -

类目: 三极管(BJT)

编号: C20295584

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

RoHSSMT扩展库

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对比

1+￥401.61
200+￥160.25
500+￥154.89
1000+￥152.25

需订货

现货: 0

100个/圆盘

个

总额￥0

JANSF2N2907AUB/TR

JANSF2N2907AUB/TR

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SMD-3P

类目: 三极管(BJT)

编号: C3199381

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

RoHS

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对比

1+￥1360.7244
11+￥1335.5258

订货9-11个工作日

库存: 841

增量: 1

最小包装: 1个

个

总额￥0

JANHCB2N2907A

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200764

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

RoHSSMT扩展库

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对比

1+￥148.12
200+￥57.32
500+￥55.31
1000+￥54.31

需订货

现货: 0

1个/圆盘

个

总额￥0

2N2907AE3

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200765

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折

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对比

1+￥65.07
200+￥25.19
500+￥24.3
1000+￥23.86

需订货

现货: 0

1个/袋

个

总额￥0

JANKCB2N2907A

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200773

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

RoHS

收藏
对比

1+￥179.7376
10+￥176.528
50+￥173.3184

订货9-11个工作日

库存: 1234

增量: 1

最小包装: 1个

个

总额￥0

JANSR2N2907A

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200782

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

收藏
对比

1+￥935.374
10+￥909.8638

订货9-11个工作日

库存: 1005

增量: 1

最小包装: 1个

个

总额￥0

JANSR2N2907AL

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200796

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

收藏
对比

1+￥1793.86
200+￥694.2
500+￥669.8
1000+￥657.75

需订货

现货: 0

1个/袋

个

总额￥0

JANS2N2907AL

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200797

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

收藏
对比

1+￥1161.66
200+￥449.55
500+￥433.75
1000+￥425.94

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现货: 0

1个/袋

个

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JANSF2N2907A

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: TO-18(TO-206AA)

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200805

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 500mW

收藏
对比

1+￥963.49
10+￥937.213

订货9-11个工作日

库存: 1577

增量: 1

最小包装: 1个

个

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