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NPN 电流:600mA 电压:40V
2N4401BU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-92-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C232837
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
625mW

描述该器件设计用作中等功率放大器和开关,需要集电极电流高达 500 mA。

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电流:0.6A 电压:40V
2N4401BU-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C46682397
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
625mW

描述此款NPN三极管(BJT)专为高效能应用设计,集电极-发射极电压VCEO可达40V,适合广泛的应用场景。其最大集电极电流IC为0.6A,确保了在驱动中等负载时的稳定性能。直流电流增益HFE范围在100至300之间,能够提供良好的放大功能。此外,该三极管的过渡频率FT高达300MHz,使其在高频应用中表现出色。这些特性使得它成为音频设备、通信模块及多种消费电子产品中的理想选择,满足对精度和速度有较高要求的电路设计需求。

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