- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 粉碎机/研磨机
多选 - 品牌
- onsemi(安森美)
- CJ(江苏长电/长晶)
- MICROCHIP(美国微芯)
- GIN(精展)
多选 - 封装
- TO-92
- TO-92-2.54mm
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
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- 对比
- ￥1.3942
- ￥1.1157
- ￥0.9963
- ￥0.7969
- ￥0.7306
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近期成交99单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V
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- ￥0.1452
- ￥0.129
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近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述特性：高密度单元设计，实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大程度降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数要求直流电流高达400 mA的应用，并且能够提供高达2 A的脉冲电流
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
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- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流
RoHS
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- 60V
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- 75mA
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- 5Ω@10V
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
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近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
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