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1个N沟道 耐压:60V 电流:75mA
2N7000-G
品牌
MICROCHIP(美国微芯)
封装
TO-92-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C618559
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
75mA
导通电阻(RDS(on))
5Ω@10V

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