2N7000BU

品牌

onsemi(安森美)

封装

TO-92

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C896650

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

200mA

导通电阻(RDS(on))

1.2Ω@10V

描述这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流

RoHS