- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- JSMSEMI(杰盛微)
- Nexperia(安世)
- VBsemi(微碧半导体)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- Siliup(矽普)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.1528
- ￥0.115
- ￥0.0982
- ￥0.0856
- ￥0.0805
- ￥0.0771
- 现货
- 204K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述2N7002,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 收藏
- 对比
- ￥0.0402
- ￥0.0393
- ￥0.0386
- ￥0.038
- 现货
- 7700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.9Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 830mW
描述数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V 耗散功率(Pd)：225mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V@250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.101
- ￥0.079
- ￥0.0668
- 现货
- 2850
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7Ω@5V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.115A,5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,500mA
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- 对比
- ￥0.0817
- ￥0.0627
- ￥0.052155
- ￥0.04579
- ￥0.040375
- ￥0.037335
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 收藏
- 对比
- ￥0.33877
- ￥0.27037
- ￥0.23617
- ￥0.21052
- ￥0.19
- ￥0.17974
- 现货
- 10
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.7Ω@5V
描述适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0515
- ￥0.0369
- ￥0.032
- ￥0.0301
- ￥0.0288
- 现货
- 1KK+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述这款N型场效应管，适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为：最大电流0.3A，耐压60V，内阻典型值1000mR，栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用，确保电路稳定高效。
- 收藏
- 对比
- ￥0.06204
- ￥0.050688
- ￥0.04444
- ￥0.035112
- ￥0.031768
- ￥0.030008
- 现货
- 87K+
3000个/圆盘
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近期成交94单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.08664
- ￥0.06878
- ￥0.052155
- ￥0.04617
- ￥0.040945
- ￥0.03819
- 现货
- 56K
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计
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- 对比
- ￥0.072
- ￥0.05643
- ￥0.04617
- ￥0.04104
- ￥0.03654
- ￥0.03411
- 现货
- 21K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.7Ω@10V
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR
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- 对比
- ￥0.0854
- ￥0.066
- ￥0.0563
- 现货
- 3150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
