2N7002,215(ES)

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42412315

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V

耗散功率(Pd)

350mW

描述2N7002,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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2N7002,215-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C53113848

描述数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V 耗散功率(Pd)：225mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V@250uA

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2N7002,215-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C52148530

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2N7002,215-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42419942

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

7Ω@5V

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.115A,5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,500mA

2N7002-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C4748728

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2Ω@10V

描述这款N型场效应管，适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为：最大电流0.3A，耐压60V，内阻典型值1000mR，栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用，确保电路稳定高效。

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2N7002

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C727149

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@10V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

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2N7002K

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C784615

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

1Ω@10V

描述特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计

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2N7002

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41349565

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.7Ω@10V

描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR

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