2N7002K

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22379475

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

900mΩ@10V；1.1Ω@4.5V

描述特性：VDS = 60V。I0 = 340mA。RDS(on)@VGS = 10V < 5Ω。RDS(on)@VGS = 4.5V < 5.3Ω。ESD protected。Rugged and reliable。应用：Battery operated systems。Solid-state relays

RoHSSMT扩展库

2N7002W

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-323

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7420322

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

900mΩ@10V

描述特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

RoHSSMT扩展库

2N7002KT

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-523

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C53664480

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@10V

SMT扩展库

2N7002

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7420321

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

900mΩ@10V

描述特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

RoHSSMT扩展库

2N7002KDW

品牌

MDD(辰达半导体)

封装

SOT-363

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C49383131

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

900mΩ@10V

描述60V N通道增强模式MOSFET

SMT扩展库

2N7002,215

品牌

Nexperia(安世)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C65189

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

5Ω@10V

描述N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V

RoHSSMT扩展库

2N7002

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C916396

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

1.7Ω@5V

描述适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

SMT扩展库

2N7002K

品牌

MDD(辰达半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C414015

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.9Ω@10V

描述防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

RoHSSMT扩展库

2N7002LT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C16338

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@10V

描述N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

RoHSSMT扩展库

2N7002K-7

品牌

DIODES(美台)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C85047

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

380mA

导通电阻(RDS(on))

1.2Ω@10V；1.4Ω@5V

描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3008053

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.2Ω@10V

描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

SMT扩展库

2N7002P,215

品牌

Nexperia(安世)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C81488

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

360mA

导通电阻(RDS(on))

1.6Ω@10V

描述N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V

RoHSSMT扩展库

2N7002BK,215

品牌

Nexperia(安世)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C282405

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

350mA

导通电阻(RDS(on))

1.6Ω@10V

描述N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C916397

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@10V

描述防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

SMT扩展库

L2N7002LT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C12779

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

1.4Ω@10V

描述N沟道,60V,0.115A,225mW

SMT扩展库

2N7002KW

品牌

CJ(江苏长电/长晶)

封装

SOT-323

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C504047

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

2.5Ω@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

RoHSSMT扩展库

2N7002-7-F

品牌

DIODES(美台)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C85049

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

210mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@5V

描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

RoHSSMT扩展库

T2N7002BK,LM

品牌

TOSHIBA(东芝)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C146372

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

400mA

导通电阻(RDS(on))

1.75Ω@4.5V

描述特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

RoHSSMT扩展库

2N7002DW-7-F

品牌

DIODES(美台)

封装

SOT-363

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C83571

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

230mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@5V

描述这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

RoHSSMT扩展库

2N7002WT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SC-70(SOT-323)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C232391

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

1.6Ω@10V

描述特性：ESD 保护。 低导通电阻（RDS(on)）。 小尺寸表面贴装封装。 2V 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。 电平转换电路

RoHSSMT扩展库

2N7002NXAKR

品牌

Nexperia(安世)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C551416

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

190mA；300mA

导通电阻(RDS(on))

4.5Ω@10V

描述N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

RoHSSMT扩展库

2N7002ET1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C71533

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

310mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@4.5V

描述N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

RoHSSMT扩展库

2N7002DW

品牌

Hottech(合科泰)

封装

SOT-363

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5190214

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.9Ω@10V

描述特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护

SMT扩展库

2N7002

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23-3L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C124475

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@10V

描述这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

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