2N7002-7-F_2N7002-7-F采购信息-立创电子元器件商城

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2N7002-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C85049

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210mA

导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@5V

描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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K2N7002-7-F

品牌: KUU

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2891691

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@4.5V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

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2N7002-7-F-ES

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224217

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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2N7002-7-F-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7524943

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 250mA

导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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