- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ChipNobo(无边界)
- DIODES(美台)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- KUU
- ElecSuper(静芯)
- UTC(友顺)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@5V
描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2179
- ￥0.1775
- ￥0.155
- ￥0.1271
- ￥0.1154
- ￥0.1091
- 现货
- 32K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
- 收藏
- 对比
- ￥0.0535
- ￥0.0417
- ￥0.0351
- ￥0.0306
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- ￥0.0253
- 现货
- 1420
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 对比
- ￥0.0671
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- ￥0.0369
- 现货
- 2280
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7Ω@5V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.115A,5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,500mA
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- 对比
- ￥0.0904
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- ￥0.0594
- 现货
- 1800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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- 对比
- ￥0.3501
- ￥0.2781
- ￥0.2421
- ￥0.2087
- ￥0.1871
- ￥0.1763
- 现货
- 330
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 540mW
SMT扩展库
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- 对比
- ￥5.06
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- ￥3.25
- ￥2.85
- ￥2.71
- 现货
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3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.7Ω@5V
描述适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
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- ￥0.0515
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- ￥0.032
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- 366K+
- 在途
- 1KK
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
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- 对比
- ￥0.0912
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- ￥0.0549
- ￥0.0486
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- 59K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计
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- ￥0.072
- ￥0.05643
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- ￥0.04104
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- 现货
- 21K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω，@VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω，@VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
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- ￥0.1222
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- ￥0.0634
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- 现货
- 5950
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω
描述N沟道,60V,0.3A,7.5Ω@10V
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- 对比
- ￥0.1526
- ￥0.1226
- ￥0.106
- ￥0.0881
- ￥0.0794
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- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V；7Ω@5V
描述N-Channel 60 V 115mA 225mW Surface Mount SOT-23
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- ￥0.0983
- ￥0.0751
- ￥0.0646
- 现货
- 2400
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
