2N7002DW_2N7002DW采购信息-立创电子元器件商城

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2N7002DW

品牌: onsemi(安森美)

封装: SC-70-6(SOT-363)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C232839

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V

描述2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。

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2N7002DW

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42434496

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@4.5V

描述特性：用于低RDS(on)的高密度单元设计。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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2N7002DW

品牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5190214

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.9Ω@10V

描述特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护

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2N7002DW-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C83571

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 230mA

导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@5V

描述这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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L2N7002DW1T1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SC-88

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C383161

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

耗散功率(Pd): 380mW

描述N沟道,60V,115mA

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2N7002DW

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49009904

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 3.3Ω@4.5V；2.2Ω@10V

描述高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。采用SOT-363表面贴装封装。具备2KV（HBM）静电防护

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2N7002DW

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2961242

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 7Ω@5V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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2N7002DW K72

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SC-70-6(SOT-363)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C61840

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 5Ω@10V

描述N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V

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2N7002DW

品牌: YANGJIE(扬杰)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C699281

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@10V

描述Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏

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20+￥0.191
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近期成交27单

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

ES2N7002DW1T1G

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42420751

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V

描述类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V

RoHS

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20+￥0.1759
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600+￥0.1155
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现货: 7500

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L2N7002DW1T1G-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7379954

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.8Ω@10V

描述MOS管类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA

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10+￥0.1367
100+￥0.1335
300+￥0.1314
1000+￥0.1293

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现货: 40

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近期成交16单

2N7002DW

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7507457

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 1.3Ω@10V

描述这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装，内含双N沟道结构，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。

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SMT补贴嘉立创库存1723

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9折

20+￥0.18666
200+￥0.14868
600+￥0.12762
3000+￥0.11205
9000+￥0.10107
21000+￥0.09513

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现货: 1520

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近期成交22单

2N7002DWQ-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C150488

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 230mA

导通电阻(RDS(on)): 13.5Ω@10V

描述这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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SMT补贴嘉立创库存1312

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5+￥0.6624
50+￥0.5308
150+￥0.465
500+￥0.4157

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现货: 1305

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近期成交6单

2N7002DW

品牌: Siliup(矽普)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41354822

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.7Ω@10V；1.8Ω@4.5V

描述小电流MOSFET产品，两个N沟道，耐压：60V，电流：0.23A, Rdson：1100mR

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20+￥0.1619
200+￥0.1252
600+￥0.1048
3000+￥0.0946

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现货: 5400

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近期成交2单

2N7002DW

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224248

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V

描述带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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SMT补贴嘉立创库存1421

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20+￥0.2116
200+￥0.161
600+￥0.133
3000+￥0.1161
9000+￥0.1015
21000+￥0.0936

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现货: 1240

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近期成交9单

2N7002DW

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7419963

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.8Ω@10V

描述特性：快速开关。提供环保器件。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

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10+￥0.23
100+￥0.1818
300+￥0.1577
3000+￥0.1396
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现货: 2130

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近期成交2单

2N7002DWH6327

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C151535

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V

描述特性：双N沟道。增强模式。逻辑电平。雪崩额定。快速开关。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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SMT补贴嘉立创库存1766

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5+￥0.6112
50+￥0.4776
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现货: 1715

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近期成交26单

2N7002DW

品牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18208584

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

耗散功率(Pd): 200mW

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SMT补贴嘉立创库存103

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20+￥0.2453
200+￥0.1924
600+￥0.163
3000+￥0.1454
9000+￥0.1301
21000+￥0.1219

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现货: 60

在途: 3000

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近期成交7单

2N7002DW

品牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-363-6

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2992358

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 7Ω@5V

描述双N沟道MOSFET，采用SOT-363塑料封装。

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SMT补贴嘉立创库存3135

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9.5折

20+￥0.221065
200+￥0.174705
600+￥0.148865
3000+￥0.121125
9000+￥0.10773
21000+￥0.10051

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现货: 3100

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近期成交6单

2N7002DW-TP

品牌: MCC(美微科)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C194045

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V；1.3Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。电压控制小信号开关。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无卤“绿色”器件。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

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SMT补贴嘉立创库存1178

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10+￥0.2407
100+￥0.1926
300+￥0.1685

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现货: 960

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近期成交9单

2N7002DW

品牌: LGE(鲁光)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C27975286

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 5Ω@10V

描述商品目录场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 115mA；功率(Pd) 380mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA

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SMT补贴嘉立创库存1266

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20+￥0.2077
200+￥0.1618
600+￥0.1363

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现货: 1240

3000个/圆盘

个

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近期成交1单

2N7002DWH6327-ES

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224256

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V

描述带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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SMT补贴嘉立创库存3015

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20+￥0.2498
200+￥0.1901
600+￥0.157
3000+￥0.1371
9000+￥0.1198
21000+￥0.1105

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现货: 3000

3000个/圆盘

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近期成交1单

2N7002DW-7-F-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7379952

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.8Ω@10V

描述MOS管类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA

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200+￥0.15147
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现货: 760

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近期成交2单

2N7002DWH6327-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7379953

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.8Ω@10V

描述MOS管类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA

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2N7002DW-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SC70-6

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7463463

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 350mA

导通电阻(RDS(on)): 1.8Ω@10V；3Ω@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于广泛的电子设备和系统中。SC70-6，2个N—Channel沟道,60V；0.35A；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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2N7002DW

品牌: KUU

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389968

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 7Ω@5V

描述特性：高密度单元设计，实现低RDS(on)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器

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H2N7002DW7F

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42401230

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 1.3Ω@10V

描述这款N+N沟道场效应管(MOSFET)专为精密控制而设计，其最大连续漏极电流ID为0.1A，适合低功耗应用。该器件能够承受高达60V的漏源电压VDSS，并具有1300mΩ的导通电阻RDON，确保了良好的开关性能。支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，使其在需要精细调节电流的场合中表现出色。适用于便携式设备、家用电器及小型电子项目中的电源管理和信号处理等场景。

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