2N7002ET1G-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5224224

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.85Ω@10V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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TP2N7002ET1G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7603345

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.2Ω@10V

描述特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating : HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

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2N7002ET1G-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5449077

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.2Ω@10V

描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

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2N7002ET1G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7494520

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

250mA

导通电阻(RDS(on))

2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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2N7002

品牌

FOSAN(富捷/富信)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2926143

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

1.2Ω@10V

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AT2N7002ESA

品牌

AnBon(安邦)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C52033615

描述N 沟道增强型 MOSFET，SOT-23 封装，VDS=60V，ID=0.35A，RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V，Qg=1.7nC，低栅极电荷，适用于负载开关，TJ=-55~+150℃，带ESD

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