2N7002K

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22379475

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

900mΩ@10V；1.1Ω@4.5V

描述特性：VDS = 60V。I0 = 340mA。RDS(on)@VGS = 10V < 5Ω。RDS(on)@VGS = 4.5V < 5.3Ω。ESD protected。Rugged and reliable。应用：Battery operated systems。Solid-state relays

RoHSSMT扩展库

2N7002KT

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-523

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C53664480

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@10V

SMT扩展库

2N7002K

品牌

MDD(辰达半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C414015

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.9Ω@10V

描述防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

RoHSSMT扩展库

2N7002K-7

品牌

DIODES(美台)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C85047

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

380mA

导通电阻(RDS(on))

1.2Ω@10V；1.4Ω@5V

描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

RoHSSMT扩展库

2N7002KW

品牌

CJ(江苏长电/长晶)

封装

SOT-323

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C504047

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

2.5Ω@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

RoHSSMT扩展库

BR2N7002K2

品牌

BLUE ROCKET(蓝箭)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C358380

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.7Ω@5V

描述SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

SMT扩展库

2N7002K

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C916397

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@10V

描述防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

SMT扩展库

2N7002KX

品牌

晶扬电子

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3038094

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

3.5Ω@5V

描述MOSFET，小信号，SOT-23

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

CJ(江苏长电/长晶)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2910165

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

RoHSSMT扩展库

HSS2N7002K

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C518788

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2Ω@4.5V

描述产品材料符合Rohs要求且无卤；ESD保护；低RDS(ON)；可应用于便携式应用,如DSC、PDA、手机等。

RoHSSMT扩展库

7002-2N7002K

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C17702881

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

5.3Ω@4.5V

描述1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

Hottech(合科泰)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C181083

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

5.3Ω@4.5V

描述特性：低导通电阻：RDS(ON)。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏

SMT扩展库

2N7002K

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5240370

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

900mΩ@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。 适用于便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

RoHSSMT扩展库

2N7002KW

品牌

onsemi(安森美)

封装

SC-70

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C266797

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

310mA

导通电阻(RDS(on))

1.6Ω@10V

描述特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小型表面贴装封装。 这些器件无铅且符合RoHS标准。 按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。 按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3008053

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.2Ω@10V

描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

SMT扩展库

2N7002KN

品牌

BORN(伯恩半导体)

封装

DFN1006-3L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C49009905

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

350mA

导通电阻(RDS(on))

1.5Ω@10V；1.7Ω@4.5V

描述特性：VDS = 60V。 ID = 0.35A。 RDS(ON) @ VGS = 10V, TYP = 1.5Ω。 RDS(ON) @ VGS = 4.5V, TYP = 1.7Ω。 逻辑电平兼容。 超快开关。应用：继电器驱动器。 高速线路驱动器

RoHSSMT扩展库

2N7002KN3T5G

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-883

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5174638

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.7Ω@10V

描述特性：60V, 300mA, RDS(ON) = 1.7Ω@VGS = 10V。 快速开关。 有环保型产品。 2KV HBM ESD 能力。应用：笔记本电脑。 智能手机

SMT扩展库

2N7002KDW

品牌

CBI(创基)

封装

SOT-363

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2919800

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

5.3Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

SMT扩展库

2N7002K

品牌

DOINGTER(杜因特)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C36499173

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.3Ω@10V

描述N管/60V/0.3A/2300mΩ(典型1800mΩ)

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C784615

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

1Ω@10V

描述特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计

SMT扩展库

2N7002K

品牌

baocheng(宝乘)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C51898302

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@10V

描述漏源电压:60V 连续漏极电流:0.3A 导通电阻:4Ω@4.5V 耗散功率:350W 阀值电压：2.5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SMT扩展库

2N7002K-T1-E3

品牌

VISHAY(威世)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C727276

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2Ω@10V

描述特性：低导通电阻：2Ω。低阈值：2V (典型值)。低输入电容：25 pF。快速开关速度：25 ns。低输入和输出泄漏。TrenchFET功率MOSFET。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

RoHSSMT扩展库

2N7002KW

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-323

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C47283700

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2Ω@10V；3Ω@10V

描述类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 300mA

RoHSSMT扩展库

2N7002K

品牌

RealChip(正芯半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5443971

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.8Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

RoHSSMT扩展库