- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ChipNobo(无边界)
- DIODES(美台)
- JSMSEMI(杰盛微)
- MSKSEMI(美森科)
- JUXING(钜兴)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- Siliup(矽普)
- CJ(江苏长电/长晶)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 380mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V；1.4Ω@5V
描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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- 对比
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- ￥0.1345
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- ￥0.0935
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- 673K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
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- ￥0.0844
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- 300
3000个/圆盘
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 1260
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.34A,2.7Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,500mA
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- 2600
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
描述这款N沟道场效应管具有60V的漏源电压耐受能力，最大连续漏极电流为0.3A。尽管其导通电阻相对较高，达到1000毫欧姆，但该MOSFET能够在20V的栅源电压下稳定工作。它适合应用于需要较小电流控制和高电压处理的场景，如便携式设备、小型电源管理电路及信号处理等消费电子产品中，提供可靠的开关与放大功能。
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- 1840
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@10V
描述用于电机驱动、电源管理，提供高频开关、低功耗及信号放大功能
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- 1100
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.3Ω@4.5V
描述N沟道,60V,0.34A,5Ω@10V
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@10V
描述防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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- ￥0.0603
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- 2700
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- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR
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- 3000
3000个/圆盘
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 900mΩ@10V
描述N-Channel 60 V 340mA 350mW Surface Mount SOT-23
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- 3650
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