- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- ChipNobo(无边界)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 晶扬电子
- MSKSEMI(美森科)
- FOSAN(富捷/富信)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Siliup(矽普)
- VISHAY(威世)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-363
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 380mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@4.5V
描述MOSFET，小信号，60 V，380mA，单 N 沟道，SOT-23
- 收藏
- 对比
- ￥0.2289
- ￥0.177
- ￥0.1481
- ￥0.1308
- ￥0.1158
- ￥0.1077
- 现货
- 181K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 对比
- ￥0.0671
- ￥0.0541
- ￥0.0469
- ￥0.0426
- ￥0.0389
- ￥0.0368
- 现货
- 28K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
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- ￥0.095455
- ￥0.0748
- ￥0.06103
- ￥0.054145
- ￥0.048195
- ￥0.044965
- 现货
- 2950
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
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- 对比
- ￥0.116
- ￥0.089
- ￥0.074
- ￥0.065
- ￥0.0572
- ￥0.053
- 现货
- 1200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.34A,2.7Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,500mA
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- 对比
- ￥0.0646
- ￥0.05
- ￥0.0419
- 现货
- 5700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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- 对比
- ￥0.34732
- ￥0.27892
- ￥0.24472
- ￥0.198265
- ￥0.177745
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- 现货
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
描述N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
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- 对比
- ￥0.2929
- ￥0.2435
- ￥0.2181
- ￥0.156114
- ￥0.14896
- ￥0.144158
- 现货
- 311K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 380mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.06Ω@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.38A，1.75Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 对比
- ￥0.1323
- ￥0.1007
- ￥0.0831
- ￥0.0726
- ￥0.0635
- ￥0.0585
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合于紧凑型电子设计。它能在60V的电压下稳定工作（VDSS），并支持0.3A的最大连续漏极电流（ID）。关键优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为1000mR，有效减少能量损耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关以及低电压、小电流的逻辑电平转换等领域，是工程师们的理想组件之一。
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- 对比
- ￥0.07238
- ￥0.05579
- ￥0.04655
- ￥0.04095
- ￥0.03619
- ￥0.0336
- 现货
- 300
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@10V
描述防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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- 对比
- ￥0.05697
- ￥0.04482
- ￥0.03852
- ￥0.03447
- ￥0.03096
- ￥0.02898
- 现货
- 257K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交92单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 900mΩ@10V
描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。 适用于便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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- 对比
- ￥0.08118
- ￥0.06462
- ￥0.0513
- ￥0.04581
- ￥0.04104
- ￥0.03843
- 现货
- 60K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交40单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.3Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.0625
- ￥0.049
- ￥0.0415
- ￥0.037
- ￥0.0331
- ￥0.031
- 现货
- 14K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.3Ω@4.5V
描述漏源电压(V) 60 连续漏极电流(Id)(A) 0.34 阈值电压(V) 2.5 功率(W) 0.35 导通电阻10V(Ω) 2500 输入电容(pF) 18
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- ￥0.09352
- ￥0.07368
- ￥0.06264
- ￥0.056
- ￥0.05024
- ￥0.04712
- 现货
- 5320
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.0773
- ￥0.06
- ￥0.0513
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 900mΩ@10V
描述N-Channel 60 V 340mA 350mW Surface Mount SOT-23
- 收藏
- 对比
- ￥0.10642
- ￥0.08347
- ￥0.07072
- ￥0.06307
- ￥0.05644
- ￥0.05287
- 现货
- 1550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.3Ω@10V
描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。ESD保护栅极，HBM 2.5KV。应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器
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- 对比
- ￥0.26486
- ￥0.209355
- ￥0.181645
- ￥0.154445
- ￥0.13787
- ￥0.12954
- 现货
- 1810
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
