2N7002KT1G_2N7002KT1G采购信息-立创电子元器件商城

收起筛选

类目
- 场效应管(MOSFET)
品牌
- ElecSuper(静芯)
- ChipNobo(无边界)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 晶扬电子
- MSKSEMI(美森科)
- FOSAN(富捷/富信)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Siliup(矽普)
- VISHAY(威世)
- onsemi(安森美)
多选
封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-363
多选
更多
- 包装
- 标签
- 认证信息

综合排序

价格

库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

国产品牌

国际品牌

自营结果数16

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

2N7002KT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C116584

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 380mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@4.5V

描述MOSFET，小信号，60 V，380mA，单 N 沟道，SOT-23

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存91K+

私有库下单最高享92折

收藏
对比

20+￥0.218
200+￥0.1717
600+￥0.146
3000+￥0.1306
9000+￥0.1172
21000+￥0.11

现货最快4小时发货

现货: 90K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

2N7002KT1G-ES

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224218

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存265

私有库下单最高享92折

收藏
对比

10+￥0.0643
100+￥0.0514
300+￥0.0442
3000+￥0.0399
6000+￥0.0361
9000+￥0.0341

现货最快4小时发货

现货: 260

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

2N7002KT1G-CN

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42419945

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@4.5V

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.34A,2.7Ω@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,500mA

收藏
对比

50+￥0.0646
500+￥0.05
3000+￥0.0419

现货最快4小时发货

现货: 5700

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

TP2N7002KT1G

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7603343

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2.2Ω@10V

描述特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1401

私有库下单最高享92折

收藏
对比

50+￥0.116
500+￥0.089
3000+￥0.074
6000+￥0.065
24000+￥0.0572
51000+￥0.053

现货最快4小时发货

现货: 1400

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

2N7002KT1G-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7428936

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 250mA

导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20

私有库下单最高享92折

收藏
对比

10+￥0.3656
100+￥0.2936
300+￥0.2576
3000+￥0.2087
6000+￥0.1871
9000+￥0.1763

现货最快4小时发货

现货: 20

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

2N7002KT1G-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5331136

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2.2Ω@10V

描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

SMT扩展库

私有库下单最高享92折

收藏
对比

50+￥0.1123
500+￥0.088
3000+￥0.0718
6000+￥0.0637
24000+￥0.0567
51000+￥0.0529

需订货

现货: 0

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

爆款

2N7002K-T1-GE3

品牌: VISHAY(威世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C81445

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V

描述N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存411K+

私有库下单最高享92折

收藏
对比

10+￥0.2991
100+￥0.2507
300+￥0.2258
3000+￥0.1681
6000+￥0.1609
9000+￥0.156

现货最快4小时发货

现货: 393K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

2N7002K-T1-GE3-ES

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224211

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 380mA

导通电阻(RDS(on)): 2.06Ω@4.5V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.38A，1.75Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2424

私有库下单最高享92折

收藏
对比

20+￥0.1323
200+￥0.1007
600+￥0.0831
3000+￥0.0726
9000+￥0.0635
21000+￥0.0585

现货最快4小时发货

现货: 2180

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

2N7002K-T1-GE3-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22367162

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V

描述2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合于紧凑型电子设计。它能在60V的电压下稳定工作（VDSS），并支持0.3A的最大连续漏极电流（ID）。关键优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为1000mR，有效减少能量损耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关以及低电压、小电流的逻辑电平转换等领域，是工程师们的理想组件之一。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存417

私有库下单最高享92折