L2N7002LT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C12779

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

1.4Ω@10V

描述N沟道,60V,0.115A,225mW

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2N7002LT1G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C28646313

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.5Ω@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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2N7002LT1G-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5331137

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.2Ω@10V

描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

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H2N7002LT1G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42401375

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1Ω@10V

描述该N沟道场效应管具有0.3A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压。其导通电阻为1000毫欧姆，确保了较低的功率损耗和较高的效率。栅源电压范围达到20V，允许在多种电路设计中灵活应用。这款MOSFET适用于需要精确控制和高可靠性的场合，如电源管理、信号处理等领域，能够有效满足对开关速度与能耗比有较高要求的应用场景。

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ES2N7002LT1G

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5224216

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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LM-L2N7002LT1G

品牌

Leiditech(雷卯电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5353604

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@4.5V

描述Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏

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2N7002LT1G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7428937

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

250mA

导通电阻(RDS(on))

2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

2N7002LT1G-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42419941

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

7Ω@5V

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.115A,5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,500mA

2N7002LT1G-GK

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C54864343

描述适用于电源开关和信号控制

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2N7002

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C916396

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

1.7Ω@5V

描述适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

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2N7002

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C727149

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω@10V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

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2N7002G-AE2-R

品牌

UTC(友顺)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C73302

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

7.5Ω

描述N沟道,60V,0.3A,7.5Ω@10V

RoHSSMT扩展库

2N7002_R1_00001-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42379415

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

115mA

导通电阻(RDS(on))

5Ω@10V；7Ω@5V

描述N-Channel 60 V 115mA 225mW Surface Mount SOT-23

LW7002BM

品牌

Lewa Micro(乐瓦微电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C54740798

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2Ω@10V

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