- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Leiditech(雷卯电子)
- ElecSuper(静芯)
- ChipNobo(无边界)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- UTC(友顺)
- LRC(乐山无线电)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
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- 包装
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@10V
描述N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
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3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4Ω@10V
描述N沟道,60V,0.115A,225mW
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- ￥0.0783
- ￥0.061
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- ￥0.0453
- ￥0.0403
- ￥0.0376
- 现货
- 274K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- ￥0.1277
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3000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
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- ￥0.1002
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3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@5V
描述该N沟道场效应管具有0.3A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压。其导通电阻为1000毫欧姆，确保了较低的功率损耗和较高的效率。栅源电压范围达到20V，允许在多种电路设计中灵活应用。这款MOSFET适用于需要精确控制和高可靠性的场合，如电源管理、信号处理等领域，能够有效满足对开关速度与能耗比有较高要求的应用场景。
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- ￥0.1396
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近期成交1单
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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近期成交1单
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7Ω@5V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,60V,0.115A,5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,500mA
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- ￥0.0594
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总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
描述Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
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- ￥0.1583
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- 现货
- 40
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
描述Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
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- ￥0.14484
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- ￥0.139485
- ￥0.13736
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- 500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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- ￥0.3679
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- 1330
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.7Ω@5V
描述适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
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- ￥0.0515
- ￥0.0369
- ￥0.032
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- ￥0.0288
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- 1KK+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
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- 59K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述特性：ESD保护。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。 无卤。应用：专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5Ω
描述N沟道,60V,0.3A,7.5Ω@10V
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- ￥0.1226
- ￥0.106
- ￥0.0881
- ￥0.0794
- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
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近期成交30单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V；7Ω@5V
描述N-Channel 60 V 115mA 225mW Surface Mount SOT-23
- 收藏
- 对比
- ￥0.0983
- ￥0.0751
- ￥0.0646
- 现货
- 2400
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
