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NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C90797
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述NPN中等功率晶体管

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近期成交15单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C842818
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:功率耗散

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NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C3008134
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):1.25W 集电极截止电流(I

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NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882SQ
品牌
JUXING(钜兴)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5158799
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
10W

描述特性:高电流输出高达3A。 低饱和电压。 与2SB772SQ互补。应用:音频功率放大器。 低速开关应用

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近期成交20单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882T-P
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C305479
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述SOT-89 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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1000/圆盘

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近期成交17单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
LGE(鲁光)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C2903783
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电流输出高达 3A。 低饱和电压。应用:音频功率放大器。 DC-DC 转换器

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1000/圆盘

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近期成交7单

P(160-320) NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882D-P
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C358412
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
10W

描述TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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2500/圆盘

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近期成交14单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
LGE(鲁光)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C5360014
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述是一种中功率低压晶体管,设计用于音频功率放大器、DC-DC转换器和电压调节器。

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2130

2500/圆盘

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近期成交2单

D882(D882表示丝印) 电流:3A 电压:30V
2SD882PU
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C2828478
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1W

描述丝印:D882 NPN 电流:3A 电压:30V

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1000/圆盘

总额0

近期成交12单

2SD882AD-P
2SD882AD-P
品牌
YFW(佑风微)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C53403747
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述3A 30V、NPN三极管、TO-252、最小包装量:2500PCS

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2500

2500/圆盘

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电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
KEXIN(科信)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C489336
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:集电极功耗:Pc = 1.25W。 集电极电流:Ic = 3A

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1420

2500/圆盘

总额0

近期成交7单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882N-P
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
SOT-223
类目
三极管(BJT)
编号
C22400489
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
10W

描述SOT-223 塑封封装 NPN 半导体三极管 用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动 40V 3A

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1285

2500/圆盘

总额0

近期成交4单

hFE:160-320 NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-220-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C2910311
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
2W

描述hFE:160-320

RoHS

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50/

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近期成交3单

NPN 电压:30V
2SD882-MS
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C2914429
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:功率耗散

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270

1000/圆盘

总额0

近期成交15单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882(TO-252)
品牌
DOWO(东沃)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C49195066
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述hFE:160-320,丝印:D882

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SMT补贴嘉立创库存2490
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2490

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

P(160-320) NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882-P
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-126F-3
类目
三极管(BJT)
编号
C358522
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
10W

描述塑封封装NPN 半导体三极管。

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460

500/

总额0

近期成交8单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882SG-P-AB3-R
品牌
UTC(友顺)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C146663
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电流输出可达3A。低饱和电压。与2SB772S互补。应用:音频功率放大器。DC-DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存3787
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2605

4000/圆盘

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近期成交17单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
三极管(BJT)
编号
C20616320
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述音频功放电路 电源开关控制 继电器驱动 稳压器中的调整管 低频功率转换器 汽车电子系统 逻辑电平转换

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SMT补贴嘉立创库存444
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现货
440

2500/圆盘

总额0

近期成交8单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882SQ-P
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C411781
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1W

描述特性:高电流输出高达3A。 低饱和电压。 与2SB772SQ互补。应用:音频功率放大器。 低速开关应用

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SMT补贴嘉立创库存1172
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1160

1000/圆盘

总额0

近期成交5单

NPN 电压:30V
2SD882
品牌
ALJ(龙晶微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C22400361
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 3A 集射极击穿电压(Vceo): 30V 功率: 0.5W

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SMT补贴嘉立创库存1065
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1030

1000/圆盘

总额0

近期成交6单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
DOWO(东沃)
封装
SOT-89-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C49194796
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述hFE:160-320,丝印:D882

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SMT补贴嘉立创库存250
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250

1000/圆盘

总额0

近期成交5单

2SD882
2SD882
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C51315080
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存980
私有库下单最高享92折
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总额0

近期成交1单

hfe=160~320 NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882L-P-T60-K
品牌
UTC(友顺)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C71140
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1W

描述特性:高电流输出可达 3A。 低饱和电压。 与 2SB772 互补。应用:音频功率放大器。 DC-DC 转换器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存73
私有库下单最高享92折
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200/

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近期成交17单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882-P
品牌
NH(纽航)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C7427886
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3.0A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(Hfe):160~320

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1001
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总额0

近期成交2单

NPN 电流:3A 电压:40V
2SD882-E
品牌
YFW(佑风微)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C42395066
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
10W

描述特性:高电流输出可达3A。 低饱和电压。 与2SB772互补。应用:音频功率放大器。 DC-DC转换器

RoHS

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近期成交5单

NPN 塑料封装晶体管
2SD882
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50276617
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:功率耗散

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存79
私有库下单最高享92折
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近期成交4单

三极管(BJT)
2SD882-D882
品牌
SY(顺烨)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C5367612
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
625mW

描述特性:功率耗散

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400/

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近期成交3单

NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882-P
品牌
YFW(佑风微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5444202
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:出色的hFE线性度和高hFE,hFE = 60至400(VCE = 2 V,IC = 1 A)

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1000/圆盘

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近期成交1单

电流:3A 电压:30V
2SD882
品牌
SY(顺烨)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C7305288
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
10W

描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):500mW

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2500/圆盘

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NPN 电流:3A 电压:30V
2SD882T
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C7429775
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
500mW

描述SOT-89 塑封封装 NPN 半导体三极管 饱和压降 VCE(sat)小,hFE高且线性极好。用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动 放大倍数可选

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近期成交2单