2SD882_2SD882采购信息-立创电子元器件商城-第2页

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2SD882

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C90797

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 12.5W

描述NPN中等功率晶体管

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1+￥3.33
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现货: 1018

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2SD882

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C842818

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述特性：功率耗散

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2SD882

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C3008134

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.25W 集电极截止电流(I

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5+￥0.6592
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2500+￥0.3413
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现货: 5075

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2SD882SQ

品牌: JUXING(钜兴)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C5158799

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 10W

描述特性：高电流输出高达3A。低饱和电压。与2SB772SQ互补。应用：音频功率放大器。低速开关应用

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10+￥0.3476
100+￥0.2749
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1000+￥0.2098
5000+￥0.188
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2SD882T-P

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C305479

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述SOT-89 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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10+￥0.4084
100+￥0.3272
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现货: 5170

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2SD882

品牌: LGE(鲁光)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C2903783

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述特性：高电流输出高达 3A。低饱和电压。应用：音频功率放大器。 DC-DC 转换器

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5+￥0.5803
50+￥0.4588
150+￥0.3981
1000+￥0.3247
2000+￥0.2882
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现货: 3555

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近期成交7单

2SD882D-P

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C358412

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 10W

描述TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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5+￥0.5881
50+￥0.4578
150+￥0.3926
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现货: 3170

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2SD882

品牌: LGE(鲁光)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C5360014

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述是一种中功率低压晶体管，设计用于音频功率放大器、DC-DC转换器和电压调节器。

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5+￥0.8194
50+￥0.6514
150+￥0.5674
500+￥0.5044
2500+￥0.4365
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现货: 2130

2500个/圆盘

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2SD882PU

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C2828478

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1W

描述丝印:D882 NPN 电流:3A 电压:30V

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10+￥0.3047
100+￥0.2423
300+￥0.2111
1000+￥0.1659
5000+￥0.1472
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现货: 3340

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2SD882AD-P

品牌: YFW(佑风微)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C53403747

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述3A 30V、NPN三极管、TO-252、最小包装量：2500PCS

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SMT补贴嘉立创库存2500

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5+￥0.8495
50+￥0.6767
150+￥0.5903
500+￥0.5254
2500+￥0.4736

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现货: 2500

2500个/圆盘

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2SD882

品牌: KEXIN(科信)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C489336

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述特性：集电极功耗：Pc = 1.25W。集电极电流：Ic = 3A

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5+￥0.5736
50+￥0.4534
150+￥0.3933
500+￥0.3483
2500+￥0.3122
5000+￥0.2942

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现货: 1420

2500个/圆盘

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近期成交7单

2SD882N-P

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-223

类目: 三极管(BJT)

编号: C22400489

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 10W

描述SOT-223 塑封封装 NPN 半导体三极管用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动 40V 3A

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SMT补贴嘉立创库存1295

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对比

5+￥1.0794
50+￥0.8476
150+￥0.7482
500+￥0.6243

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现货: 1285

2500个/圆盘

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近期成交4单

2SD882

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-220-3L

类目: 三极管(BJT)

编号: C2910311

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 2W

描述hFE:160-320

RoHS

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5+￥1.4084
50+￥1.1059
150+￥0.9762

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现货: 405

50个/管

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近期成交3单

2SD882-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C2914429

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述特性：功率耗散

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SMT补贴嘉立创库存277

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10+￥0.3962
100+￥0.3146
300+￥0.2738
1000+￥0.2365
5000+￥0.212
10000+￥0.1998

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现货: 270

1000个/圆盘

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近期成交15单

2SD882(TO-252)

品牌: DOWO(东沃)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C49195066

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述hFE:160-320，丝印:D882

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SMT补贴嘉立创库存2490

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对比

5+￥0.4954
50+￥0.3946
150+￥0.3442
500+￥0.3064

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现货: 2490

2500个/圆盘

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近期成交1单

2SD882-P

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-126F-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C358522

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 10W

描述塑封封装NPN 半导体三极管。

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SMT补贴嘉立创库存1539

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5+￥0.6457
50+￥0.5033
150+￥0.432

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现货: 460

500个/袋

个

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近期成交8单

2SD882SG-P-AB3-R

品牌: UTC(友顺)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C146663

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述特性：高电流输出可达3A。低饱和电压。与2SB772S互补。应用：音频功率放大器。DC-DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存3787

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对比

5+￥0.4659
50+￥0.3627
150+￥0.3111
500+￥0.2724
2500+￥0.2414

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现货: 2605

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

2SD882

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-252-2L

类目: 三极管(BJT)

编号: C20616320

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述音频功放电路电源开关控制继电器驱动稳压器中的调整管低频功率转换器汽车电子系统逻辑电平转换

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SMT补贴嘉立创库存444

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对比

5+￥0.3582
50+￥0.3502
150+￥0.345
500+￥0.3397

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现货: 440

2500个/圆盘

个

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近期成交8单

2SD882SQ-P

品牌: PJSEMI(平晶微)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C411781

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1W

描述特性：高电流输出高达3A。低饱和电压。与2SB772SQ互补。应用：音频功率放大器。低速开关应用

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SMT补贴嘉立创库存1172

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10+￥0.385
100+￥0.3082
300+￥0.2698
1000+￥0.2069

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现货: 1160

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

2SD882

品牌: ALJ(龙晶微)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C22400361

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 3A 集射极击穿电压(Vceo): 30V 功率: 0.5W

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1065

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对比

10+￥0.275
100+￥0.2174
300+￥0.1886
1000+￥0.167

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现货: 1030

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

2SD882

品牌: DOWO(东沃)

封装: SOT-89-3L

类目: 三极管(BJT)

编号: C49194796

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述hFE:160-320，丝印:D882

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存250

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对比

10+￥0.3146
100+￥0.2484
300+￥0.2153

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现货: 250

1000个/圆盘

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总额￥0

近期成交5单

2SD882

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C51315080

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

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SMT补贴嘉立创库存980

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10+￥0.2672
100+￥0.2096
300+￥0.1808

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现货: 980

1000个/圆盘

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近期成交1单

2SD882L-P-T60-K

品牌: UTC(友顺)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C71140

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1W

描述特性：高电流输出可达 3A。低饱和电压。与 2SB772 互补。应用：音频功率放大器。 DC-DC 转换器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存73

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对比

5+￥0.778
50+￥0.6292
200+￥0.5548

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现货: 70

200个/袋

个

总额￥0

近期成交17单

2SD882-P

品牌: NH(纽航)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C7427886

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3.0A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(Hfe)：160~320

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1001

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对比

10+￥0.4378
100+￥0.3461
300+￥0.3002
1000+￥0.2658

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现货: 1000

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

2SD882-E

品牌: YFW(佑风微)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C42395066

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 10W

描述特性：高电流输出可达3A。低饱和电压。与2SB772互补。应用：音频功率放大器。 DC-DC转换器

RoHS

收藏
对比

5+￥0.8202
50+￥0.6484
150+￥0.5625
500+￥0.498
2500+￥0.4465
5000+￥0.4207

需订货

现货: 0

500个/袋

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总额￥0

近期成交5单

2SD882

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C50276617

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述特性：功率耗散

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存79

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对比

5+￥1.6661
50+￥1.3082
150+￥1.1549

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现货: 75

500个/袋

个

总额￥0

近期成交4单

2SD882-D882

品牌: SY(顺烨)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C5367612

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 625mW

描述特性：功率耗散

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存149

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对比

9.5折

5+￥0.479085
50+￥0.378765
150+￥0.328605
400+￥0.29089
2400+￥0.260775
4800+￥0.245765

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现货: 145

400个/袋

个

总额￥0

近期成交3单

2SD882-P

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C5444202

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述特性：出色的hFE线性度和高hFE，hFE = 60至400（VCE = 2 V，IC = 1 A）

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存109

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2SD882

品牌: SY(顺烨)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C7305288

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 10W

描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW

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2SD882T

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C7429775

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 3A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 500mW

描述SOT-89 塑封封装 NPN 半导体三极管饱和压降 VCE(sat)小,hFE高且线性极好。用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动放大倍数可选

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