6N136SDM

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C24402

输入类型

DC

工作电压

500mV~30V

隔离电压(Vrms)

2.5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

RoHSSMT扩展库

6N136

品牌

EVERLIGHT(亿光)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C500386

输入类型

DC

工作电压

4.5V~15V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

RoHSSMT扩展库

6N136S-TA1-L

品牌

LITEON(光宝)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C336082

输入类型

DC

工作电压

4.5V~15V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述6N135/6N136-L 由高效铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。光电二极管偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

SMT扩展库

6N136S(TA)

品牌

EVERLIGHT(亿光)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C118756

输入类型

DC

工作电压

-500mV~30V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

20kV/us

RoHSSMT扩展库

6N136S

品牌

AOTE(奥特)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C20612603

输入类型

DC

工作电压

4.5V~18V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光 电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统 光电晶体管耦合器提高 100 倍。 广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

RoHSSMT扩展库

6N136M

品牌

UMW(友台半导体)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C2995535

输入类型

DC

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

传输速率

1Mbit/s

描述UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

RoHSSMT扩展库

6N136S(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C7436894

输入类型

DC

输出类型

光电三极管

正向压降(Vf)

1.45V

输出电流

8mA

描述UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

RoHSSMT扩展库

6N136-560E

品牌

Broadcom(博通)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C691905

正向压降(Vf)

1.5V

输出电流

8mA

隔离电压(Vrms)

3.75kV

输出通道数

1

RoHS

6N136-L

品牌

LITEON(光宝)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C194516

输入类型

DC

工作电压

15V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

SMT扩展库

HT-6N136-S1TA1

品牌

Hengtuo(恒拓电子)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C34376258

输入类型

DC

工作电压

1.4V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

SMT扩展库

QX6N136-CuH-D

品牌

NQUNXIN(群芯微电子)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C52164459

输入类型

DC

工作电压

30V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述SMD8封装1M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：30V

SMT扩展库

OR-6N136S-TA1

品牌

Orient(奥伦德)

封装

SOP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C2692129

输入类型

DC

输出类型

光电三极管

正向压降(Vf)

1.2V

输出电流

50mA

描述OR - 6N135/6N136由高效铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光探测器组成。该设计在光电耦合器的输入端和输出端提供了良好的交流和直流隔离。与光电二极管偏置相关的连接可通过降低基极 - 集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度

SMT扩展库

QX6N136-CuH-S

品牌

NQUNXIN(群芯微电子)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C52164458

输入类型

DC

工作电压

-500mV~30V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述SMD8封装1M晶体管高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：30V

SMT扩展库

6N136-000E-AXW

品牌

ISOMICRON(安芯微半导体)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C46597931

输入类型

DC

工作电压

-500mV~30V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述1Mbps 高速逻辑光耦,DIP8

RoHS

6N136-500E

品牌

Broadcom(博通)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C691904

输入类型

DC

工作电压

4.5V~5.5V

隔离电压(Vrms)

3.75kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

RoHSSMT扩展库

CY6N136

品牌

OCIC(卓睿科)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C3018820

输入类型

DC

输出类型

光电三极管

正向压降(Vf)

1.45V

输出电流

8mA

描述光耦合器由一个 AlGaAs LED 和高速光电晶体管组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。

RoHSSMT扩展库

6N136-300E

品牌

Broadcom(博通)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C17536590

正向压降(Vf)

1.5V

输出电流

8mA

隔离电压(Vrms)

3.75kV

输出通道数

1

RoHSSMT扩展库

6N136-X007T

品牌

VISHAY(威世)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C241873

输入类型

DC

隔离电压(Vrms)

5.3kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

传输速率

1Mbit/s

描述光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

RoHSSMT扩展库

6N136S

品牌

Slkor(萨科微)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C2918950

输入类型

DC

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

传输速率

1Mbit/s

描述由一个高效 AlGaAs 发光二极管和一个高速光探测器组成。这种设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。

SMT扩展库

6N136(S)(T1)

品牌

CT MICRO

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C191865

输入类型

DC

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

传输速率

1Mbit/s

描述6N135、6N136、CT4502和CT4503器件均由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的高速光电探测器晶体管组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），也提供鸥翼式（400mil）和表面贴装引脚成型封装形式

SMT扩展库

HT-6N136

品牌

Hengtuo(恒拓电子)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C34376253

输入类型

DC

工作电压

1.4V；1.4V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

6N136

品牌

ISOCOM(英国安数光)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C94861

输入类型

DC

工作电压

4.5V~15V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

RoHSSMT扩展库

6N136SM

品牌

ISOCOM(英国安数光)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C255742

输入类型

DC

工作电压

4.5V~15V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

RoHSSMT扩展库

OR-6N136

品牌

Orient(奥伦德)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C2692128

输入类型

AC,DC

正向压降(Vf)

1.4V

输出电流

8mA

隔离电压(Vrms)

5kV

描述消费级

RoHSSMT扩展库