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操作
- 灵敏度
- 0.4mV/Gs
- 工作电压
- 4.5V~6V
- 工作电流
- 6mA
- 工作温度
- -40℃~+150℃
描述传感器输出是与垂直施加于封装顶部表面的磁场成正比的电压。该传感器结合了集成体霍尔元件技术和仪表电路，以最大程度减少与硅霍尔元件特性相关的温度漂移。该架构充分发挥了单片实现的优势，同时具有足够的通用性，能够以最少的组件数量满足各种应用需求。主要特性包括动态失调漂移消除和内置温度传感器
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