AO4441

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C4355026

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

4A

导通电阻(RDS(on))

145mΩ@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

AO4441(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5447653

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

4A

导通电阻(RDS(on))

80mΩ@10V；102mΩ@4.5V

描述特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）

RoHSSMT扩展库

AO4441

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C49011427

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

8.5A

导通电阻(RDS(on))

23mΩ@10V

描述该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。

RoHSSMT扩展库

AO4441-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C693380

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

8A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@10V；63mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

SMT扩展库

HSM6113

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C700985

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

4.1A

导通电阻(RDS(on))

90mΩ@10V

描述HSM6113 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6113 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库

DOS5P06

品牌

DOINGTER(杜因特)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C46598089

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

100mΩ@10V

描述P管/-60V/-5A/100mΩ/(典型80mΩ)

RoHS