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AOD444

品牌: AOS

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C33216

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@10V

描述N沟道,60V,12A,85mΩ@4.5V

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AOD444

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5350887

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 33mΩ@10V

描述特性：VDS = 60V, ID = 25A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

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AOD444

品牌: UMW(友台半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159781

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 47mΩ@10V

描述将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。

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AOD444(ES)

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42434116

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 33mΩ@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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AOD444-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C693148

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 73mΩ@10V；85mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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AOD444-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22366896

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V

描述AOD444 是一款高品质N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，易于集成到各类电路设计中。器件核心参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V，能够承受并传输15A的连续漏极电流(ID)，同时，其低至38mΩ的导通电阻(RD(on))保证了高效能和低损耗。这款MOS管适用于电源转换、电机驱动、LED照明调光等应用，是您提升系统性能和节能效果的理想半导体器件。

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