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- 类目
- 肖特基二极管
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- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 100mA
描述30 V、100 mA Vf 0.33 V @ 2 mA SMD通用信号肖特基二极管
RoHS
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- 3000
- 最小包装
- 3000个
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- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为2μA，具备较低的导通损耗与优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源极性保护等电路场合。
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