LBAS40-04LT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOT-23

类目

肖特基二极管

编号

C78600

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

560mV

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

120mA

描述平面肖特基势垒二极管，集成保护环，用于应力保护。产品材料符合 RoHS 要求。

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BAS40-04LT1G(MS)

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

肖特基二极管

编号

C22399251

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

1V@40mA

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

200mA

描述此款肖特基二极管：1对串联式直流反向耐压(Vr)：40V平均整流电流(Io)：200mA正向压降(Vf)：1V@40mA广泛用于电压钳位、信号隔离、高频交流切换、保护电路等多种用途，特别是在对速度和效率有严格要求的电路设计中满足你的电路设计需求

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SBAS40-04LT1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23-3

类目

肖特基二极管

编号

C52754626

正向压降(Vf)

1V@40mA

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

200mA

反向电流(Ir)

200nA@30V

描述该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号检波场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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SBAS40-04LT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23-3

类目

肖特基二极管

编号

C231288

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

1V@40mA

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

120mA

描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

RoHS

BAS40-04

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOT-23

类目

肖特基二极管

编号

C41431977

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

1V@40mA

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

200mA

描述特性：低正向电压。 快速开关

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