- 类目
- 肖特基二极管
- 品牌
- JSMSEMI(杰盛微)
- Nexperia(安世)
- AnBon(安邦)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- PAKER(派克微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- R+O(宏嘉诚)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 800mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
RoHS
- 收藏
- 对比
- ¥0.0777
- ¥0.07215
- ¥0.0666
- ¥0.063825
- ¥0.06105
- 库存
- 15K+
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额¥0
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 800mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述二极管配置:1对共阴极 正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:200mA
- 收藏
- 对比
- ¥0.0966
- ¥0.0751
- ¥0.0632
- ¥0.056
- 现货
- 9100
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交5单
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对共阴极 正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA
- 收藏
- 对比
- ¥0.0615
- ¥0.0473
- ¥0.0394
- ¥0.0347
- 现货
- 7250
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交9单
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述特性:VR 30V。 IF(AV) 0.2A。 高电流能力。 低正向压降。 极快的开关速度。应用:高速开关应用。 电路保护
- 收藏
- 对比
- ¥0.0909
- ¥0.0718
- ¥0.0584
- ¥0.052
- ¥0.0465
- ¥0.0435
- 现货
- 686K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述适用于电源转换、高频信号整流与ESD保护等领域,专为高效能、高速开关应用设计。
- 收藏
- 对比
- ¥0.041515
- ¥0.030875
- ¥0.03002
- ¥0.026505
- ¥0.023465
- ¥0.021755
- 现货
- 1KK+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述这款肖特基二极管以其0.2A的电流和30V的电压额定值,提供了高效的电路保护。其1V的低压降和2uA的反向电流确保了低能耗和高效率。此外,0.6A的浪涌电流承受能力增强了系统的稳定性。适用于多种电子设备的电源管理。
- 收藏
- 对比
- ¥0.05992
- ¥0.04744
- ¥0.04056
- ¥0.03504
- ¥0.03144
- ¥0.02944
- 现货
- 13K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交63单
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 520mV@250mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述特性:低电流整流和高速开关。 小型表面贴装型。 高达200mA电流能力。 低正向压降。 硅外延平面芯片,金属硅结。 符合环保标准的无铅产品,超越MIL-STD-19500/228环境标准。 高速(trr < 5 ns)
- 收藏
- 对比
- ¥0.06759
- ¥0.05301
- ¥0.04491
- ¥0.03996
- ¥0.03573
- ¥0.03348
- 现货
- 5380
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交43单
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述特性:低电流整流和高速开关。 小型表面贴装型。 高达200mA的电流能力。 低正向压降。 硅外延平面芯片,金属硅结。 无铅部件,符合环保标准。 高速 (trr < 5 ns)。 符合无卤要求
- 收藏
- 对比
- ¥0.121885
- ¥0.09747
- ¥0.076665
- ¥0.068495
- ¥0.061465
- ¥0.057665
- 现货
- 3050
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交7单
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 320mV@1mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述峰值前浪涌电流 (Ifsm) 0.6A SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等
- 收藏
- 对比
- ¥0.09291
- ¥0.07239
- ¥0.06099
- ¥0.05415
- ¥0.048165
- ¥0.04503
- 现货
- 2150
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交4单










