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  • 类目
    • 肖特基二极管
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BAT54C,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C37704
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

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BAT54C,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
批次
2543+
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库存
120K

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BAT54C,215-JSM
BAT54C,215-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C53113847
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述二极管配置:1对共阴极 正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:200mA

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近期成交15单

电压:30V 电流:200mA
BAT54C,215-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C42419956
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对共阴极 正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA

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近期成交10单

替代参考
电压:30V 电流:0.2A
BAT54C
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C22466350
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述特性:VR 30V。 IF(AV) 0.2A。 高电流能力。 低正向压降。 极快的开关速度。应用:高速开关应用。 电路保护

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554K+

3000/圆盘

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替代参考
电压:30V 电流:200mA
BAT54C
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C916424
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述适用于电源转换、高频信号整流与ESD保护等领域,专为高效能、高速开关应用设计。

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替代参考
电压:30V 电流:200mA
BAT54C
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C5184395
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述这款肖特基二极管以其0.2A的电流和30V的电压额定值,提供了高效的电路保护。其1V的低压降和2uA的反向电流确保了低能耗和高效率。此外,0.6A的浪涌电流承受能力增强了系统的稳定性。适用于多种电子设备的电源管理。

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近期成交40单

替代参考
电压:30V 电流:200mA
BAT54C
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
肖特基二极管
编号
C2844172
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
520mV@250mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述特性:低电流整流和高速开关。 小型表面贴装型。 高达200mA电流能力。 低正向压降。 硅外延平面芯片,金属硅结。 符合环保标准的无铅产品,超越MIL-STD-19500/228环境标准。 高速(trr < 5 ns)

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SMT补贴嘉立创库存8083
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3000/圆盘

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近期成交65单

替代参考
电压:30V 电流:0.2A
BAT54C
品牌
PAKER(派克微)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C5278882
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
320mV@1mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述峰值前浪涌电流 (Ifsm) 0.6A SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等

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3000/圆盘

总额0

近期成交2单

替代参考
电压:30V 电流:200mA
BAT54C
品牌
AnBon(安邦)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C397610
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述特性:低电流整流和高速开关。 小型表面贴装型。 高达200mA的电流能力。 低正向压降。 硅外延平面芯片,金属硅结。 无铅部件,符合环保标准。 高速 (trr < 5 ns)。 符合无卤要求

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SMT补贴嘉立创库存124
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3000/圆盘

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