BAT54HT1G

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C7422626

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1V@100mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：极快的开关速度。 低正向电压

SMT扩展库

LBAT54HT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C12744

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

400mV

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述这些肖特基势垒二极管设计用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

SMT扩展库

BAT54HT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C21107

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

800mV@100mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

RoHSSMT扩展库

BAT54HT1G

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C42385145

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1V@100mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述电压:30V 电流:200mA

RoHS

HBAT54HT1G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C22396421

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

800mV

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述这款独立封装的肖特基二极管，正向压降仅为800mV，确保了优良的电能转化效率。具备30V直流反向耐压能力，为电路提供稳固保护。虽然平均整流电流为200mA，但其小巧身形与高效特性，使其成为小型电子设备、信号处理及低功耗应用的优选，如无线耳机、可穿戴设备及高效电源模块，为您的精密电子设计增添高效能与可靠性。

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BAT54HT1G-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C41383971

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

1V@100mA

直流反向耐压(Vr)

21V

整流电流

100mA

描述此款肖特基二极管，采用SOD-323封装,它的额定电压30V,额定电流0.2A，具有低功耗及高效能应用，被广泛应用于无线通信、电源管理、数字数码产品、仪器仪表等

NSVBAT54HT1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C52754521

描述该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

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S-LBAT54HT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C5368873

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

400mV@10mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 极快的开关速度。 低正向电压：在IF = 10 mAdc时为0.35V（典型值）

SMT扩展库

BAT54WS

品牌

AnBon(安邦)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C397611

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1V@520mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特征：反向电压30V，正向压降≤1V@100mA ，SOD-323 封装；功能：小信号整流、信号切换；应用：消费电子，数码配件等

RoHSSMT扩展库

TPBAT43WS

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOD-323

类目

肖特基二极管

编号

C51886238

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

450mV@15mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：多层金属-硅电位结构。 高电流能力，高效率。 高结温能力。 低泄漏电流。 RoHs产品。应用：表面贴装肖特基势垒整流器。 降压和升压直流-直流转换器

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