- 类目
- 肖特基二极管
- 品牌
- JSMSEMI(杰盛微)
- Nexperia(安世)
- GOODWORK(固得沃克)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- PAKER(派克微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- R+O(宏嘉诚)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 800mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述平面肖特基势垒二极管,带有集成保护环用于应力保护,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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- 对比
- ￥0.4022
- ￥0.3223
- ￥0.2812
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- 现货
- 55K+
- 在途
- 60K
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近期成交100单+
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 800mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述二极管配置：1对串联式 正向压降(Vf)：400mV@10mA 直流反向耐压(Vr)：30V 整流电流：200mA
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- 对比
- ￥0.0854
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近期成交66单
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对串联式 正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流(Io): 200mA
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- 对比
- ￥0.0574
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近期成交11单
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 400mV@10mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述特性：VR 30V。 IF(AV) 0.2A。 高电流能力。 低正向压降。 极快的开关速度。应用：高速开关应用。 电路保护
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- ￥0.0776
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近期成交100单+
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 800mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
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- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
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3000个/圆盘
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- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 1V@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 100mA
描述这款肖特基二极管以其0.2A的电流和30V的电压额定值，提供了高效的电路保护。其1V的低压降和2uA的反向电流确保了低能耗和高效率。此外，0.6A的浪涌电流承受能力增强了系统的可靠性。适用于多种电子设备的电源管理。
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- ￥0.07011
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- 5000
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近期成交34单
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 520mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述特性：低电流整流和高速开关。 小型表面贴装型。 高达200mA电流能力。 低正向压降。 硅外延平面芯片，金属硅结。 符合环保标准的无铅产品，超越MIL-STD-19500/228环境标准。 高速（trr < 5 ns）
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- ￥0.05432
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- 1850
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近期成交9单
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 320mV@1mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述峰值前浪涌电流 (Ifsm) 0.6A SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等
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- 对比
- ￥0.098515
- ￥0.077995
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- ￥0.05377
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- 现货
- 2300
3000个/圆盘
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近期成交6单
