LBAT54SWT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOT-323-3

类目

肖特基二极管

编号

C12741

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

400mV

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

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NSVBAT54SWT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-323(SC-70)

类目

肖特基二极管

编号

C114731

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

800mV@100mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

RoHSSMT扩展库

HBAT54SWT1G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-323

类目

肖特基二极管

编号

C42389390

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

1V

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流（IF），以及30V的最高反向电压（VR），确保了在多种电路设计中的可靠性。它在正向导通时的电压降（VF）为1V，有助于减少能量损耗。该二极管在无正向电流时的反向漏电流（IR）小于2微安，表明其良好的阻断性能。此外，它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流（IFSM）。鉴于这些特点，这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

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BAT54SW

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-323

类目

肖特基二极管

编号

C19267768

二极管配置

1对串联式

正向压降(Vf)

1V@100mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述这款采用SOT-323封装的肖特基二极管，具有30V反向耐压及0.2A正向电流容量，其正向导通电压VF为1V，适用于低功耗、小信号整流场合。紧凑型设计使其成为便携式设备、电源管理模块以及精密电子电路的理想选择。

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