BAV99LT1G

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C5178965

二极管配置

1对串联式

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

200mA

直流反向耐压(Vr)

70V

描述特性：快速开关速度。 适用于通用开关应用。 高电导率

SMT扩展库

LBAV99LT1G

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C78088

二极管配置

1对串联式

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

215mA

直流反向耐压(Vr)

75V

描述特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力

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SBAV99LT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C152481

二极管配置

1对串联式

整流电流

215mA

直流反向耐压(Vr)

100V

正向压降(Vf)

1.25V@150mA

描述此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

RoHSSMT扩展库

BAV99LT1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C50176893

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

200mA

直流反向耐压(Vr)

70V

正向压降(Vf)

1.25V@150mA

描述该肖特基二极管额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复耐压（VR）达70V，适用于低电流、中等电压的电路环境。其正向导通压降（VF）为1.25V，在小电流工况下具备良好的整流效率。反向漏电流（IR）典型值为2.5μA，表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合，适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。

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BAV99LT1G-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C42458970

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

200mA

直流反向耐压(Vr)

100V

正向压降(Vf)

1.25V@150mA

描述特性：开关速度小于 4nS。 最大功率耗散 225mW。 高稳定性和可靠性。 反向漏电流小

RoHS

LBAV99LT1G-HW

品牌

LRC(乐山无线电)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C2941698

二极管配置

1对串联式

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

215mA

直流反向耐压(Vr)

100V

BAV99

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C727122

二极管配置

1对串联式

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

200mA

直流反向耐压(Vr)

70V

描述特性：快速开关速度。 适用于通用开关应用。 高电导

RoHSSMT扩展库

BAV99

品牌

FOSAN(富捷/富信)

封装

SOT-23

类目

开关二极管

编号

C2926147

二极管配置

1对串联式

耗散功率(Pd)

225mW

整流电流

200mA

直流反向耐压(Vr)

80V

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