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    • 开关二极管
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BAV99WT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C82078
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
215mA
直流反向耐压(Vr)
100V

描述此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

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近期成交100单+

100V 215mA
SBAV99WT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C327513
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
215mA
直流反向耐压(Vr)
100V

描述此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

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近期成交10单

BAV99WT1G
BAV99WT1G
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C52146064
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
150mA
直流反向耐压(Vr)
75V

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近期成交23单

70V 200mA
HBAV99WT1G
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C22396412
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
225mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
70V

描述这款高性能开关二极管,采用1对串联式独特配置,专为追求高速响应与高效能的电路打造。它具备100V的高直流反向耐压能力,确保在高压环境下稳定工作。卓越的6ns反向恢复时间,让信号切换更加迅速流畅,减少能耗与热量产生。支持200mA平均整流电流,适合于精密电子、通讯及消费类电子产品中的高效能需求,是打造快速、可靠电路设计的理想元件。

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近期成交2单

90V 150mA
BAV99WT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C42419961
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
150mA
直流反向耐压(Vr)
90V
正向压降(Vf)
1V@50mA

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-323 二极管配置: 1对串联式 正向压降(Vf):1.25V@150mA 直流反向耐压(Vr):90V 整流电流(Io): 150mA

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近期成交3单

100V 215mA
LBAV99WT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-323-3
类目
开关二极管
编号
C78879
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
215mA
直流反向耐压(Vr)
100V

描述特性:产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过 AEC-Q101 认证并具备生产件批准程序 (PPAP) 能力。应用:ESD 保护。 极性反转保护

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近期成交70单

100V 215mA
S-LBAV99WT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SC-70
类目
开关二极管
编号
C2932883
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
215mA
直流反向耐压(Vr)
100V

描述特性:产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过 AEC-Q101 认证并具备生产件批准程序 (PPAP) 能力。应用:ESD 保护。 极性反转保护

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近期成交1单

替代参考
85V 150mA
BAV99W
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C5204730
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
200mW
整流电流
150mA
直流反向耐压(Vr)
85V

描述二极管配置:1对串联式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):6ns

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近期成交9单

替代参考
70V 200mA
BAV99W
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C19267764
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
225mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
70V

描述这款开关二极管采用SOT-323封装,体积小巧,适用于高密度电路板设计。其特性包括75V反向电压、0.15A正向电流和1.25V的低正向压降VF,确保在开关应用中具备卓越的性能及能效表现,广泛应用于电源管理、信号切换以及各类电子设备的保护电路中。

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