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- R+O(宏嘉诚)
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
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描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：160@100mA,1V
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- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 直流电流增益(hFE)
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描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率: 300mW
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
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- 45V
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- 250mW
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述hFE:160-400，丝印:6B
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
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- 300mW
描述这款NPN型三极管具有0.5A的电流和45V的电压处理能力，放大倍数介于160至400之间，适用于高速操作，频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能支持，适合多种应用场合，确保信号放大和电子系统的稳定性。
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
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