收起筛选
- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- Nexperia(安世)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- R+O(宏嘉诚)
- ChipNobo(无边界)
- NXP(恩智浦)
多选 - 封装
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综合排序
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价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 345mW
描述采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
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- ￥0.0831
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
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- 对比
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率: 300mW
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述hFE:250-630，丝印:6C
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述这款NPN型三极管具有0.5A的电流和45V的电压处理能力，放大倍数介于250至600之间，适用于高速操作，频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
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