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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23（TO236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
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- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 450@2mA,5V
描述1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路；LVDS，用于液体显示面板的面板线，图形卡等
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描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 200~450 NPN,Vceo=65V,Ic=0.1
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- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
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描述这款NPN型三极管具有0.1A的电流和65V的电压处理能力。其放大倍数介于200至450之间，适用于精密信号放大。在100MHz频率下表现出色，适合高速开关应用。该元器件为设计提供了可靠且高效的选择。
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描述适用于各类中高耐压、低电流应用场景，是您电子项目的优质三极管之选。
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描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 200~450 NPN,Vceo=65V,Ic=0.1A,丝印1B
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