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- 三极管(BJT)
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自营结果数10
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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23(TO236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。
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近期成交100单+
描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 200~450 NPN,Vceo=65V,Ic=0.1
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近期成交3单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.高频共模阻抗高,噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率,可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路;LVDS,用于液体显示面板的面板线,图形卡等
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9折
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近期成交3单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述hFE:200-450,丝印:1B
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管具有0.1A的电流和65V的电压处理能力。其放大倍数介于200至450之间,适用于精密信号放大。在100MHz频率下表现出色,适合高速开关应用。该元器件为设计提供了可靠且高效的选择。
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述适用于各类中高耐压、低电流应用场景,是您电子项目的优质三极管之选。
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 200~450 NPN,Vceo=65V,Ic=0.1A,丝印1B
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3000个/圆盘
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述丝印1B
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近期成交1单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
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- 现货
- 1280
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近期成交8单











