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BC846B,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C87062
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
250mW

描述采用小型SOT23(TO236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。

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BC846B,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
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BC846B,215-JSM
BC846B,215-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C49364186

描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 200~450 NPN,Vceo=65V,Ic=0.1

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电流:100mA 电压:65V
BC846B,215-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42458977
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

描述1.高频共模阻抗高,噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率,可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路;LVDS,用于液体显示面板的面板线,图形卡等

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BC846B215
品牌
NXP(恩智浦)
封装
SOT-23-3
类目
三极管(BJT)
编号
C3196281
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

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替代参考
hFE:200-450,丝印:1B NPN 电流:100mA 电压:65V
BC846B
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C20069134
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

描述hFE:200-450,丝印:1B

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替代参考
NPN 电流:100mA 电压:65V
BC846B
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5338312
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

描述这款NPN型三极管具有0.1A的电流和65V的电压处理能力。其放大倍数介于200至450之间,适用于精密信号放大。在100MHz频率下表现出色,适合高速开关应用。该元器件为设计提供了可靠且高效的选择。

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替代参考
NPN 电流:100mA 电压:65V
BC846B
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5381784
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

描述适用于各类中高耐压、低电流应用场景,是您电子项目的优质三极管之选。

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替代参考
200~450 丝印1B NPN 电流:100mA 电压:65V
BC846B
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5204719
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
300mW

描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 200~450 NPN,Vceo=65V,Ic=0.1A,丝印1B

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替代参考
丝印1B NPN 电流:100mA 电压:65V
BC846B
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5359997
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

描述丝印1B

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近期成交1单

替代参考
NPN 电流:0.1A 电压:65V
BC846B
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C3018505
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

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