- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- LRC(乐山无线电)
- onsemi(安森美)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- FOSAN(富捷/富信)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
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- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
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操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- ￥0.0896
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- 69K+
3000个/圆盘
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近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：>4000 V。 ESD 评级-机器模型：>400 V。 产品材料符合 RoHS 要求
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- 对比
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- 23K+
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近期成交66单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- ￥1.1208
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3000个/圆盘
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近期成交16单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：> 4000V。 ESD 评级-机器模型：> 400V。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
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- ￥0.1232
- ￥0.0994
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- 现货
- 11K+
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近期成交21单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
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- 对比
- ￥0.0608
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- ￥0.031312
- ￥0.029184
- 现货
- 8700
3000个/圆盘
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近期成交1单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路；LVDS，用于液体显示面板的面板线，图形卡等
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- 对比
- ￥0.04902
- ￥0.03819
- ￥0.032205
- ￥0.028595
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- 现货
- 2950
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流IC和65V的集电极-发射极电压VCEO，适用于需要较高耐压的应用环境。其直流电流增益HFE范围为200至450，确保了信号放大的高效率与稳定性。特征频率FT达到100MHz，适合于中高速开关及放大应用。该三极管非常适合用于构建家用电器中的控制电路、无线通信设备中的信号处理单元，以及任何需要在紧凑设计中提供可靠性能的电子装置。
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- 对比
- ￥0.23355
- ￥0.18603
- ￥0.16227
- ￥0.14445
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- 180
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述适用于各类中高耐压、低电流应用场景，是您电子项目的优质三极管之选。
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- 对比
- ￥0.04545
- ￥0.03555
- ￥0.0315
- ￥0.02817
- ￥0.02538
- ￥0.02385
- 现货
- 71K+
3000个/圆盘
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近期成交34单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述放大倍数200-450 电流100MA 电压45V
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- 对比
- ￥0.04248
- ￥0.03276
- ￥0.02736
- ￥0.02412
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- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交15单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
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- 对比
- ￥0.0617
- ￥0.0482
- ￥0.0407
- ￥0.0356
- ￥0.0317
- ￥0.0296
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- 840
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述丝印1B
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- ￥0.07276
- ￥0.056695
- ￥0.04777
- ￥0.042415
- ￥0.03774
- ￥0.035275
- 现货
- 2700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
