收起筛选
- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- onsemi(安森美)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- FOSAN(富捷/富信)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- LRC(乐山无线电)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数10
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1601
- ￥0.1216
- ￥0.1002
- ￥0.0863
- ￥0.0752
- ￥0.0692
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- 现货
- 63K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：>4000V。 ESD 评级-机器模型：>400V。 产品材料符合 RoHS 要求。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力
- 收藏
- 对比
- ￥0.0735
- ￥0.0575
- ￥0.0486
- ￥0.0433
- ￥0.0387
- ￥0.0362
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- 现货
- 21K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交40单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述此款NPN三极管（BJT）具备0.1A的集电极电流（IC），适用于信号放大与处理电路。其集电极-发射极电压（VCEO）为45V，确保了在多种电源条件下的稳定运行。直流电流增益（HFE）范围在200至450之间，使得它在放大微弱信号方面表现出色。特征频率（FT）达到100MHz，表明其高速切换能力，非常适合用于通信设备中的高频放大及开关电路。该产品因其性能参数，在需要精确信号处理和高效率放大的场合中被广泛采用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2403
- ￥0.1885
- ￥0.1597
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- 现货
- 220
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.3288
- ￥0.32332
- ￥0.3151
- ￥0.3014
订货7-9个工作日
- 库存
- 36K
- 增量
- 3000
- 最小包装
- 3000个
个
总额￥0
- 收藏
- 对比
- ￥0.8562
- ￥0.3314
- ￥0.3197
- ￥0.314
需订货
- 现货
- 0
3000个/圆盘
个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 310mW
- 收藏
- 对比
- ￥0.9981
- ￥0.3983
- ￥0.385
- ￥0.3784
需订货
- 现货
- 0
3000个/圆盘
个
总额￥0
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：与S9015互补
- 收藏
- 对比
- ￥0.0555
- ￥0.0447
- ￥0.0331
- ￥0.0295
- ￥0.0263
- ￥0.0246
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- 现货
- 46K+
- 在途
- 30K
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交85单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述放大倍数200-450 电流100MA 电压45V
- 收藏
- 对比
- ￥0.047
- ￥0.0365
- ￥0.0307
- ￥0.0272
- ￥0.0242
- ￥0.0225
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- 现货
- 24K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交16单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
- 收藏
- 对比
- ￥0.0573
- ￥0.0449
- ￥0.0363
- ￥0.0321
- ￥0.0286
- ￥0.0266
现货最快4小时发货
- 现货
- 3150
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交6单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
- 收藏
- 对比
- ￥0.0856
- ￥0.0667
- ￥0.0562
- ￥0.0499
- ￥0.0444
- ￥0.0415
现货最快4小时发货
- 现货
- 1400
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
