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hfe=200~450 NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847BS,115
品牌
Nexperia(安世)
封装
TSSOP-6(SOT-363)
类目
三极管(BJT)
编号
C8653
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
300mW

描述采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:BC857BS

RoHS

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库存
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增量
10
最小包装
3000个

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双NPN小信号晶体管,适用于自动插入的表面贴装封装
BC847BS,115-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C49364577
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述2NPN 100mA 45V 300mW

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近期成交2单

电流:100mA 电压:45V
BC847BS,115-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C45369252
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN+NPN 45V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

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近期成交6单

替代参考
NPN 电流:0.1A 电压:45V
BC847BS
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C41375126
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与BC856BS至BC858BS互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃

RoHSSMT扩展库

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近期成交95单

替代参考
NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847BS
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C5380687
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 表面贴装封装,非常适合自动插入

SMT扩展库

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8
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近期成交76单

替代参考
NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847BS
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C42395464
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述NPN 电流:100mA 耐压:45V

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近期成交4单

替代参考
NPN 电流:100mA 电压:45V
TPBC847S
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C7603406
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:高电流增益。出色的bcc线性度。低噪声

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