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- 三极管(BJT)
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- Nexperia(安世)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
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- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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NPN 电流:100mA 电压:45V

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C8664

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 250mW

描述NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

批次: 25+

立推售价

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支付后6-8工作日

库存: 120K

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NPN通用晶体管，高电流增益、低噪声，适用于AF输入级和驱动应用

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C53113858

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 250mW

描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：420@2mA,5V

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SOT-23封装NPN塑料晶体管，适用于开关和音频放大器应用，适合自动插入

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42458982

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 800

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BC847C/AU,215

品牌: NXP(恩智浦)

封装: SOT-23-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C17182591

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 250mW

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hFE:420-800，丝印:1G NPN 电流:100mA 电压:45V

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420337

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:420-800，丝印:1G

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NPN 电流:100mA 电压:45V

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C727145

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 300mW

描述NPN晶体管，采用SOT23塑料封装。PNP互补型号：BC856 /857/858/859/860。

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电流:100mA 电压:45V

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C25503842

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述这款NPN型三极管具有0.1A的最大电流承载能力和45V的工作电压范围，其放大倍数介于420至800之间，确保了稳定的增益性能。该器件支持高达100MHz的工作频率，适用于高频放大和开关应用，如便携式电子设备、通信系统以及消费类电子产品中的信号处理和控制电路。

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NPN 电流:100mA 电压:45V

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C3018507

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用

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NPN 电流:100mA 电压:45V

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5360001

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用

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