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- 三极管(BJT)
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自营结果数9
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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- ￥0.1186
- ￥0.0916
- ￥0.0766
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- 67K+
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近期成交100单+
描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：420@2mA,5V
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- ￥0.0856
- ￥0.0671
- ￥0.0569
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近期成交3单
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
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9.5折
- ￥0.047595
- ￥0.037335
- ￥0.031635
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- ￥0.02527
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- 广东仓
- 1000
3000个/圆盘
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近期成交7单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
RoHS
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述hFE:420-800，丝印:1G
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述NPN晶体管，采用SOT23塑料封装。PNP互补型号：BC856 /857/858/859/860。
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管具有0.1A的最大电流承载能力和45V的工作电压范围，其放大倍数介于420至800之间，确保了稳定的增益性能。该器件支持高达100MHz的工作频率，适用于高频放大和开关应用，如便携式电子设备、通信系统以及消费类电子产品中的信号处理和控制电路。
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9.3折
- ￥0.054405
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- ￥0.035991
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
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- 广东仓
- 3200
3000个/圆盘
个
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近期成交28单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
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8.5折
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- ￥0.046325
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- ￥0.03638
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