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NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847CLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C150094
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:湿度敏感度等级:1-ESD 等级。 人体模型:>4000V。 机器模型:>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准

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hfe=420~800 NPN 电流:100mA 电压:45V
LBC847CLT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C12749
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
225mW

描述特性:湿度敏感度等级:1。 ESD 评级-人体模型:>4000V。 ESD 评级-机器模型:>400V。 产品材料符合 RoHS 要求。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力

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近期成交50单

NPN 电流:100mA 电压:45V
SBC847CLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C894280
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
225mW

描述特性:湿度敏感度等级:1-ESD 等级。 人体模型:> 4000V。 机器模型:> 400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)且符合 RoHS 标准

RoHS

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1KK
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30000
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30000个

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替代参考
NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847C
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C727145
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
300mW

描述NPN晶体管,采用SOT23塑料封装。PNP互补型号:BC856 /857/858/859/860。

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3900

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替代参考
NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847C
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C3018507
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

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替代参考
NPN 电流:100mA 电压:45V
BC847C
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5360001
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

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替代参考
电流:100mA 电压:45V
BC847C
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2926210
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
225mW

描述放大倍数420-800 电流100MA 电压30V

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