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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 1.35W
描述NPN中功率晶体管，采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装
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描述晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE)：40@500mA,2.0V hFE:100-250
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
描述1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路；LVDS，用于液体显示面板的面板线，图形卡等
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- 现货
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 直流电流增益(hFE)
- 100
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
描述hFE:100-250，丝印:BL
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
描述这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压特性。其放大倍数介于100至250之间，适用于精密信号放大。在频率方面，它可支持高达130MHz的操作，确保信号传输的稳定性。适合用于对电子信号进行控制和放大的应用场合。
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
描述晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@500mA,2V
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