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BD135-16

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C2970575

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述NPN硅晶体管

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BD135

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-126-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C2992040

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述特性：高电流：与BD136、BD138和BD140互补

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BD135

品牌: ST(意法半导体)

封装: SOT-32-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C3200359

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 12.5W

描述NPN硅晶体管

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BD135

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229574

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述晶体管类型：NPN。集电极电流ICM:3A 集电极-基极击穿电压BVCBO:45V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:45V 直流电流增益HFE:200-300

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BD135G

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-225-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C605316

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 12.5W

描述该中等功率 NPN 塑料晶体管系列使用互补或准互补电路，适合用作音频放大器和驱动器。

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BD13516STU-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-126

类目: 三极管(BJT)

编号: C50269830

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 1W

描述该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流（IC）和45V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中等功率条件下的信号放大与开关操作。其直流电流增益（HFE）范围为100至300，表现出良好的电流放大能力与一致性。器件响应速度快，工作稳定，常用于电源控制、音频信号处理、驱动电路及消费类电子设备中的逻辑切换与功率调节，适合在通用环境下实现精确的电流控制与电路通断功能。

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