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NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C27866
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述NPN硅晶体管

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近期成交100单+

NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-225-3
类目
三极管(BJT)
编号
C233736
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述该中等功率 NPN 塑料晶体管系列使用互补或准互补电路,适合用作音频放大器和驱动器。

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  • 4.2
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近期成交6单

NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD13916STU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C900678
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

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近期成交5单

100-250 NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139(RANGE:100-250)
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C2973796
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:高电流:与BD136、BD138和BD140互补

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近期成交22单

NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139-10
品牌
ST(意法半导体)
封装
SOT-32
类目
三极管(BJT)
编号
C2970334
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述NPN硅晶体管

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现货
700

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近期成交10单

NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139-16
品牌
ST(意法半导体)
封装
SOT-32-3
类目
三极管(BJT)
编号
C1509139
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述NPN硅晶体管

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总额0

近期成交11单

NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139-16
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C19267709
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:高电流:与BD136、BD138和BD140互补

RoHS

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  • 0.5595
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200/

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近期成交5单

TO-126封装NPN晶体管 中功率线性和开关应用
BD139
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C49009574
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
800mA
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
36W

描述封装: TO-126 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):0.8A 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 36W

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385

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总额0

近期成交6单

NPN 电流:1.5A 电压:80V
BD139-16
品牌
YFW(佑风微)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C19273123
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述适用于中功率线性和开关应用,分别与 BD136、BD138 和 BD140 互补。

RoHS

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现货
5

500/

总额0

近期成交2单

1.5A 120V
BD139
品牌
luJing(鲁晶)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C51625778
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
120V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:高电流晶体管(NPN)

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9.5
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1690

500/

总额0

近期成交13单

BD139
BD139
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50229570
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述晶体管类型:NPN。 集电极电流ICM:3A 集电极-基极击穿电压BVCBO:80V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:80V 直流电流增益HFE:200-300

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总额0

近期成交15单

BD139
BD139
品牌
Slkor(萨科微)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C5185922
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W
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BD13910STU
BD13910STU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C900677
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

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  • 7.87
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  • 6.24
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1920/

总额0

近期成交1单

BD13916S
BD13916S
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C900817
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

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  • 7.88
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  • 5.88
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  • 4.72
  • 4.56
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2000/

总额0

BD1396STU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C3200749
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

RoHSSMT扩展库

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  • 3.43
  • 1.33
  • 1.28
  • 1.26
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60/

总额0

NJVBD139G
品牌
onsemi(安森美)
封装
-
类目
三极管(BJT)
编号
C3195996

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  • 17.13
  • 6.63
  • 6.4
  • 6.28
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1/

总额0

BD13910S
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C900816
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

RoHSSMT扩展库

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  • 1.52
  • 1.46
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2000/

总额0

NPN塑料封装晶体管
BD13916STU-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50269828
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1W

描述该NPN型三极管额定集电极电流(IC)为1.5A,集电极-发射极耐压(VCEO)达80V,适合中等功率信号放大与开关应用。其直流电流增益(HFE)范围为100至300,具备较宽的增益区间,有利于提升电路设计的灵活性与适应性。器件适用于通用电源控制、信号调理、驱动级电路及各类模拟与数字切换场合,具有良好的热稳定性和可靠性,可满足多种基础电子设备对电流控制与信号传递的基本需求。

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总额0

近期成交2单

SI5341B-D13981-GMR
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607058
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10

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  • 46.29
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1000/圆盘

总额0

SI5341B-D13973-GMR
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607388
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10

SMT扩展库

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  • 47.97
  • 46.29
  • 45.45
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1000/圆盘

总额0

SI5332BD13979-GM2R
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-40(6x6)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607583
最大输出频率
200MHz
工作电压
1.71V~3.63V
工作温度
-40℃~+85℃
功能特性
内置锁相环;内置时钟监测与失锁检测;扩展频谱;协议专用时钟生成;多源时钟输入与自动切换

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  • 84.68
  • 32.77
  • 31.62
  • 31.05
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现货
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1000/圆盘

总额0

SI5332BD13985-GM2R
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-40(6x6)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607694
最大输出频率
200MHz
工作电压
1.71V~3.63V
工作温度
-40℃~+85℃
功能特性
内置锁相环;内置时钟监测与失锁检测;扩展频谱;协议专用时钟生成;多源时钟输入与自动切换

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  • 32.77
  • 31.62
  • 31.05
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1000/圆盘

总额0

SI5341B-D13937-GMR
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607794
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10
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  • 123.96
  • 47.97
  • 46.29
  • 45.45
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1000/圆盘

总额0

SI5341B-D13911-GM
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607860
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10

RoHS

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  • 对比
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  • 49.16
  • 47.43
  • 46.58
需订货
现货
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260/托盘

总额0

SI5341B-D13981-GM
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3608000
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10
工作温度
-40℃~+85℃

SMT扩展库

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  • 对比
  • 127.02
  • 49.16
  • 47.43
  • 46.58
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260/托盘

总额0

SI5341B-D13984-GM
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3608178
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10

SMT扩展库

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  • 127.02
  • 49.16
  • 47.43
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260/托盘

总额0

SI5340B-D13987-GMR
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-44(7x7)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3608510
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
4

SMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 40.79
  • 39.36
  • 38.65
需订货
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1000/圆盘

总额0

SI5332BD13925-GM2
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-40(6x6)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3608593
最大输出频率
200MHz
工作电压
1.71V~3.63V
工作温度
-40℃~+85℃
功能特性
集成参考源方案(XO/TCXO);内置锁相环;扩展频谱;协议专用时钟生成

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  • 33.58
  • 32.4
  • 31.82
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490/托盘

总额0

SI5341B-D13937-GM
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3608844
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10

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  • 127.02
  • 49.16
  • 47.43
  • 46.58
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260/托盘

总额0

SI5332BD13985-GM2
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-40(6x6)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3608976
最大输出频率
200MHz
工作电压
1.71V~3.63V
工作温度
-40℃~+85℃
功能特性
内置锁相环;内置时钟监测与失锁检测;扩展频谱;协议专用时钟生成;多源时钟输入与自动切换

SMT扩展库

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  • 对比
  • 86.77
  • 33.58
  • 32.4
  • 31.82
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490/托盘

总额0