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PNP 电流:1.5A 电压:80V
BD140
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C38652
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述PNP硅晶体管

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3075

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近期成交70单

PNP 电流:1.5A 电压:80V
BD140
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C20604
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:高电流:与 BD135、BD137 和 BD139 互补

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  • 0.5171
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1665

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总额0

近期成交11单

PNP 电流:1.5A 电压:80V
BD140-16
品牌
ST(意法半导体)
封装
SOT-32
类目
三极管(BJT)
编号
C2688703
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
12.5W

描述PNP硅晶体管

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  • 1.5595
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770

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近期成交15单

BD140
BD140
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50229569

描述晶体管类型:PNP。 集电极电流ICM:-3A 集电极-基极击穿电压BVCBO:-80V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-80V 直流电流增益HFE:200-300

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9.2
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  • 0.215924
  • 0.203136
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现货
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近期成交22单

PNP塑料封装晶体管
BD140
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50269829
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1W

描述该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流(IC)和80V的集电极-发射极电压(VCEO),适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益(HFE)在100至200之间,具备良好的电流控制能力与稳定性。器件可用于电源管理模块、信号转换电路及负载驱动等场景,支持在通用电子设备中实现可靠的电流反向导通与电平切换功能,满足模拟与数字电路中对PNP型晶体管的基本性能要求,适用于多种基础级电路设计。

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9.5
  • 0.944395
  • 0.748125
  • 0.663955
  • 0.55898
  • 0.51224
  • 0.484215
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现货
55

500/

总额0

近期成交3单

PNP 电流:1.5A 电压:80V
BD140-16
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C19267715
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述特性:高电流,与BD135、BD137和BD139互补

RoHS

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  • 0.639
  • 0.5659
  • 0.5111
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现货
610

200/

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近期成交3单

BD140G
BD140G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-225-3
类目
三极管(BJT)
编号
C605317
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述该中等功率 PNP 塑料晶体管系列使用互补或准互补电路,适合用作音频放大器和驱动器。

RoHS

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  • 2.82912
订货65-67个工作日
库存
105K
增量
500
最小包装
500个

总额0

BD140
BD140
品牌
Slkor(萨科微)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C5185923
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W
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  • 对比
BD14010STU
BD14010STU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C900679
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W
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  • 对比
BD14016STU
BD14016STU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C900680
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W
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  • 对比
BD14010S
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C3200733
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

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  • 对比
  • 17.13
  • 6.63
  • 6.4
  • 6.28
需订货

250/

总额0

BD14016S
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126-3
类目
三极管(BJT)
编号
C900818
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.25W

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  • 2.2425
  • 0.8678
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2000/

总额0

200V 200mA
MMBD1403
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
通用二极管
编号
C274682
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
1.1V@300mA
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
200mA

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SMT补贴嘉立创库存2744
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  • 对比
  • 0.7911
  • 0.6475
  • 0.5757
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现货
2740

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

200V 200mA
MMBD1401
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3L
类目
通用二极管
编号
C891675
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.1V@300mA
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
200mA

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3.2折起
  • 0.389688
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  • 0.167936
  • 0.149984
  • 0.135584
  • 0.128416
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现货
205

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

175V 600mA
MMBD1404A
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3L
类目
通用二极管
编号
C891677
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1.25V@300mA
直流反向耐压(Vr)
175V
整流电流
600mA

描述采用工艺2V设计。

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SMT补贴嘉立创库存25
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  • 对比
  • 1.0476
  • 1.0284
  • 1.0156
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现货
20

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

200V 200mA
MMBD1404
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3L
类目
通用二极管
编号
C891676
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1.1V@300mA
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
200mA

RoHS

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  • 对比
  • 0.28668
订货65-67个工作日
库存
648K
增量
3000
最小包装
3000个

总额0

200V 200mA
MMBD1405
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3L
类目
通用二极管
编号
C891678
二极管配置
1对共阳极
正向压降(Vf)
1.1V@300mA
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
200mA

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20
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  • 对比
  • 0.8603
  • 0.6884
  • 0.6024
现货最快4小时发货
现货
20

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

ERJ-3RBD1400V
品牌
PANASONIC(松下)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C4038004
电阻类型
厚膜电阻
阻值
140Ω
精度
±0.5%
功率
100mW

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 0.1247
  • 0.0483
  • 0.0466
  • 0.0457
需订货

5000/圆盘

总额0

MMBD1401A
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3L
类目
通用二极管
编号
C905204
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.25V@300mA
直流反向耐压(Vr)
175V
整流电流
600mA

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 0.1583
  • 0.0613
  • 0.0591
  • 0.0581
需订货

3000/圆盘

总额0

ERJ-6RBD1400V
品牌
PANASONIC(松下)
封装
0805
类目
贴片电阻
编号
C2106761
电阻类型
厚膜电阻
阻值
140Ω
精度
±0.5%
功率
100mW

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 0.2064
  • 0.0799
  • 0.0771
  • 0.0757
需订货

5000/圆盘

总额0

MMBD1403ALT1G
MMBD1403ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3
类目
通用二极管
编号
C5206471
正向压降(Vf)
1.25V@300mA
直流反向耐压(Vr)
250V
整流电流
225mA
反向电流(Ir)
40nA

RoHS

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  • 对比
  • 0.27912
订货65-67个工作日
库存
648K
增量
3000
最小包装
3000个

总额0

BD14000EFV-EVK-001
品牌
ROHM(罗姆)
封装
-
类目
其他模块
编号
C17325990
类型
电源管理

RoHS

  • 收藏
  • 对比
  • 652.39
  • 260.31
需订货

1/

总额0

RNF18FBD140K
品牌
SEI(Stackpole Electronics Inc.)
封装
插件,D1.8xL3.3mm
类目
插件电阻
编号
C6276953
电阻类型
金属膜电阻
阻值
140kΩ
精度
±1%
功率
125mW

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 0.2043
  • 0.0815
  • 0.0788
  • 0.0775
需订货

1000/

总额0

RNF14FBD140K
品牌
SEI(Stackpole Electronics Inc.)
封装
插件,D2.4xL6.4mm
类目
插件电阻
编号
C6407897
电阻类型
金属膜电阻
阻值
140kΩ
精度
±1%
功率
250mW

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 0.2111
  • 0.0842
  • 0.0814
  • 0.08
需订货

1000/

总额0

RNF14FBD140R
品牌
SEI(Stackpole Electronics Inc.)
封装
插件,D2.4xL6.4mm
类目
插件电阻
编号
C6778831
电阻类型
金属膜电阻
阻值
140Ω
精度
±1%
功率
250mW

RoHS

  • 收藏
  • 对比
  • 0.2111
  • 0.0842
  • 0.0814
  • 0.08
需订货

1000/

总额0

RNF18FBD140R
品牌
SEI(Stackpole Electronics Inc.)
封装
插件,D1.8xL3.3mm
类目
插件电阻
编号
C6778969
电阻类型
金属膜电阻
阻值
140Ω
精度
±1%
功率
125mW

RoHS

  • 收藏
  • 对比
  • 0.2043
  • 0.0815
  • 0.0788
  • 0.0775
需订货

1000/

总额0

BD14000EFV-CE2
品牌
ROHM(罗姆)
封装
HTSSOP-30-EP-5.6mm
类目
电池管理
编号
C2156002
芯片类型
均衡芯片
工作电压
8V~24V
电池类型
超级电容器
电池节数
4~6

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 57.13
  • 22.11
  • 21.33
  • 20.95
需订货

2000/圆盘

总额0

BD14000EFV-CH2
品牌
ROHM(罗姆)
封装
HTSSOP-30-B
类目
电池管理
编号
C5952653
芯片类型
均衡芯片
工作电压
8V~24V
电池类型
超级电容器
电池节数
4~6

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 52.98
  • 21.14
  • 20.44
  • 20.09
需订货

250/圆盘

总额0

SI5341B-D14022-GMR
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607174
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10
工作温度
-40℃~+85℃

SMT扩展库

私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 123.96
  • 47.97
  • 46.29
  • 45.45
需订货

1000/圆盘

总额0

SI5341B-D14073-GMR
品牌
SKYWORKS
封装
QFN-64(9x9)
类目
时钟发生器/频率合成器/PLL
编号
C3607271
接口类型
I2C
最大输出频率
350MHz
工作电压
3.14V~3.47V;1.71V~1.89V
输出通道数
10

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 123.96
  • 47.97
  • 46.29
  • 45.45
需订货

1000/圆盘

总额0