收起筛选
- 类目
- 达林顿管
- 三极管(BJT)
- 薄膜电容
多选 - 品牌
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- onsemi(安森美)
- YFW(佑风微)
- luJing(鲁晶)
- DDF(鼎德丰)
- KEMET(基美)
- ST(意法半导体)
多选 - 封装
- TO-126
- TO-225
- TO-252
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数11
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
描述达林顿类型：PNP。 集电极电流IC:-4A 集电极-基极击穿电压VCBO:-100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-100V
- 收藏
- 对比
9.2折
- ￥0.715944
- ￥0.56764
- ￥0.493396
- ￥0.437736
- ￥0.393208
- ￥0.370944
现货最快4小时发货
- 现货
- 4490
500个/袋
个
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 4A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述特性：与BD679、681互补
- 收藏
- 对比
- ￥1.285
- ￥1.0179
- ￥0.9034
现货最快4小时发货
- 现货
- 415
500个/袋
个
总额￥0
近期成交6单
- 集电极电流(Ic)
- 4A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 2W
- 直流电流增益(hFE)
- 8000
描述该PNP型三极管具有4A的集电极电流和100V的集射极耐压，适用于中高功率的模拟与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）在2000至8000之间，具备较高的增益性能，有利于提升信号放大精度与驱动效率。器件适用于电源管理电路、音频输出级、直流电机控制及家用电子设备中的开关调节模块，支持稳定可靠的电流控制，适合对导通损耗和响应速度有一定要求的场景。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥1.08262
- ￥0.857565
- ￥0.76114
- ￥0.640775
- ￥0.587195
- ￥0.555085
现货最快4小时发货
- 现货
- 35
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 收藏
- 对比
- ￥2.77428
订货65-67个工作日
- 库存
- 105K
- 增量
- 500
- 最小包装
- 500个
个
总额￥0
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 4A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 14W
RoHSSMT扩展库
私有库下单最高享92折
- 收藏
- 对比
- ￥3.48
- ￥2.73
- ￥2.41
- ￥2.01
- ￥1.83
- ￥1.73
需订货
60个/管
个
总额￥0
- 类型
- PNP
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 集电极电流(Ic)
- 4A
- 耗散功率(Pd)
- 14W
RoHSSMT扩展库
私有库下单最高享92折
- 收藏
- 对比
- ￥1.3666
- ￥0.5289
- ￥0.5103
- ￥0.5011
需订货
2000个/袋
个
总额￥0
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥0.48545
- ￥0.47481
- ￥0.467685
- ￥0.46056
现货最快4小时发货
- 现货
- 500
500个/袋
个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 4A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述特性：与BD680、BD682互补
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥1.79664
- ￥1.4231
- ￥1.26312
- ￥1.063335
- ￥0.974415
- ￥0.92112
现货最快4小时发货
- 现货
- 70
500个/袋
个
总额￥0
近期成交5单
