BS170_BS170采购信息-立创电子元器件商城

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BS170

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-92

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C111691

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 500mA

导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@10V

描述MOSFET，小信号，500 mA，60 V

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BS170FTA

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5236685

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 250mA

导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V

描述使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 2.5V 的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。

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BS170FTA

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C28646320

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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BS170FTA

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C151050

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 90V

连续漏极电流(Id): 150uA

导通电阻(RDS(on)): 5Ω@10V

描述特性：60V VDS。 RDS(ON) = 5Ω

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BS170FTA-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5337199

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V

描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，电流容量为0.3A。专为低至中等功率应用设计，具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池管理、信号切换等领域，实现精准的功率控制和高效能运作。

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BS170FTA-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C558098

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 250mA

导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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