- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Existar(毅芯达)
- Infineon(英飞凌)
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- Siliup(矽普)
多选 - 封装
- DFN-8(5x6)
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- 包装
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
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- 对比
- ￥3.7
- ￥3.08
- ￥2.65
- ￥2.29
- ￥2.17
- ￥2.1
- 现货
- 21K+
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 83A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.1mΩ@10V
描述N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 对比
- ￥3.09
- ￥2.44
- ￥2.16
- ￥1.81
- ￥1.58
- ￥1.49
- 现货
- 3312
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交33单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述N沟道,100V,90A,7mΩ@10V
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- ￥4.5375
- ￥3.42
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5000个/圆盘
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近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 75A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.3mΩ@10V
描述此款消费级N沟道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封装，具有优越的散热性能。其规格为100V漏源电压和75A连续电流，特别适合于空间紧凑、高效率要求的电源转换、负载开关及电池管理系统等应用场景，提供卓越的功率处理能力与可靠性。
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- ￥3.825
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- ￥2.72
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- ￥1.8615
- ￥1.751
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- 50
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mR @20A,10V
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- 对比
- ￥3.44
- ￥2.79
- ￥2.47
- ￥2.14
- ￥1.95
- ￥1.85
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- 5000
5000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；
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- ￥7.25
- ￥7.1
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- ￥6.24
- 现货
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5000个/圆盘
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近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 62A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):62A功率(Pd)41W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)56.1nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2570pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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- ￥1.35
- ￥1.055
- ￥0.93
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- ￥0.665
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- 4678
5000个/圆盘
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近期成交39单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V；8mΩ@4.5V
描述大电流SGT MOSFET产品
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- ￥1.8762
- ￥1.4501
- ￥1.2675
- ￥1.0396
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- 2140
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交28单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.2mΩ@10V
描述1个N沟道，100V，85A，7.2mΩ@10V
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- ￥1.53232
- ￥1.21376
- ￥1.07728
- ￥0.90696
- ￥0.83112
- ￥0.7856
- 现货
- 140
5000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 78A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.6mΩ@10V
描述特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 快速开关速度。 有绿色环保器件可供选择。应用：高频开关和同步整流。 DC/DC转换器
RoHS
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- ￥3.77
- ￥3.04
- ￥2.67
- ￥2.31
- ￥2.09
- ￥1.98
- 现货
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3000个/圆盘
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近期成交1单
