BSS123_BSS123采购信息-立创电子元器件商城

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BSS123

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C513249

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@4.5V

描述此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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10+￥0.4532
100+￥0.3583
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现货: 36K+

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BSS123

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420338

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V；10Ω@4.5V

描述特性：VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。便携式设备的负载开关。应用：电池保护。负载开关

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50+￥0.1264
500+￥0.1062
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6000+￥0.0702
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现货: 358K+

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BSS123

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C427379

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

描述应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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50+￥0.1012
500+￥0.0817
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24000+￥0.0548
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立推

BSS123

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

备注: 下单确认库存

立推售价

18000+￥0.0437

支付后4-6工作日

库存: 30K

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BSS123K

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C54795812

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 5.5Ω@10V

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20+￥0.1442
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3000+￥0.0855
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现货: 13K+

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爆款

BSS123LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C78755

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

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10+￥0.2662
100+￥0.2151
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3000+￥0.1527
6000+￥0.1452
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现货: 452K+

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BSS123

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C79015

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

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50+￥0.1255
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6000+￥0.0789
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BSS123

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C784617

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。电压控制小信号开关。应用：小型伺服电机控制。功率MOSFET栅极驱动器

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9折

50+￥0.09171
500+￥0.07245
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现货: 74K+

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BSS123

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5184436

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。

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SMT补贴嘉立创库存41K+

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9.3折

20+￥0.134571
200+￥0.109368
600+￥0.095325
3000+￥0.076911
9000+￥0.069564
21000+￥0.065658

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立推

BSS123

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

立推售价

78000+￥0.0561

支付后5-7工作日

库存: 450K

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BSS123LT1G

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7419968

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述特性：低导通电阻。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关应用

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20+￥0.1607
200+￥0.125
600+￥0.1052
3000+￥0.0934
9000+￥0.0831
21000+￥0.0775

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现货: 24K+

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BSS123,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C78962

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 150mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述N沟道,100V,150mA

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10+￥0.2678
100+￥0.2098
300+￥0.1808
3000+￥0.1554
6000+￥0.138
9000+￥0.1293

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现货: 330

3000个/圆盘

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BSS123NH6327

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-236-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5205497

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 190mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述特性：N 通道增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素

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SMT补贴嘉立创库存8440

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对比

10+￥0.4551
100+￥0.3672
300+￥0.3233
3000+￥0.2904
6000+￥0.264

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现货: 8000

3000个/圆盘

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近期成交80单

LBSS123LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C8491

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

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SMT补贴嘉立创库存18K+

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对比

20+￥0.1643
200+￥0.127
600+￥0.1063
3000+￥0.0898
9000+￥0.079

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现货: 17K+

3000个/圆盘

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近期成交100单+

BSS123

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832210

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 290mA

导通电阻(RDS(on)): 2.7Ω@10V；2.95Ω@4.5V

描述N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

RoHS

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对比

50+￥0.088
500+￥0.0691
3000+￥0.0586
6000+￥0.0523
24000+￥0.0468
51000+￥0.0439

现货最快4小时发货

现货: 9400

3000个/圆盘

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近期成交8单

BSS123

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C431506

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V

描述特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。开关

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SMT补贴嘉立创库存7948

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对比

20+￥0.1645
200+￥0.1311
600+￥0.1125
3000+￥0.0955
9000+￥0.0859
21000+￥0.0806

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现货: 7860

3000个/圆盘

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近期成交28单

BSS123-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C85107

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如：小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用

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SMT补贴嘉立创库存1413

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对比

10+￥0.289
100+￥0.2396
300+￥0.2149

现货最快4小时发货在途3个工作日内发货

现货: 460

在途: 30K

3000个/圆盘

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近期成交100单+

BSS123

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18212696

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@4.5V

描述场效应管(MOSFET)

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9.5折

20+￥0.153235
200+￥0.11932
600+￥0.10051
3000+￥0.0893
9000+￥0.079515
21000+￥0.074195

现货最快4小时发货

现货: 8520

3000个/圆盘

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近期成交2单

BSS123

品牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2681368

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 150mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V

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SMT补贴嘉立创库存10K+

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对比

3折

20+￥0.05223
200+￥0.04095
600+￥0.03471
3000+￥0.02838
9000+￥0.02514
21000+￥0.02337

现货最快4小时发货

现货: 10K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

BSS123K

品牌: Siliup(矽普)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41349577

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@10V

描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：100V，电流：0.17A, Rdson：4000mR

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SMT补贴嘉立创库存4418

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对比

20+￥0.1429
200+￥0.1105
600+￥0.0925
3000+￥0.0847

现货最快4小时发货

现货: 3300

3000个/圆盘

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近期成交31单

BSS123W

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C50176571

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 3.8Ω@4.5V

描述适用于电源开关和信号控制

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SMT补贴嘉立创库存1619

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对比

9.5折

20+￥0.130815
200+￥0.1026
600+￥0.086925
3000+￥0.07752
9000+￥0.06935
30000+￥0.06498

现货最快4小时发货

现货: 420

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交34单

BSS123W

品牌: YANGJIE(扬杰)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C919596

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 5.5Ω@4.5V

描述采用沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。高密度单元设计，实现低导通电阻。开关速度快

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SMT补贴嘉立创库存3012

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50+￥0.1058
500+￥0.0842
3000+￥0.0642

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现货: 2900

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

BSS123W-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C155361

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述N沟道，100V，170mA

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存22

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对比

5+￥0.698
50+￥0.6846
150+￥0.6757
500+￥0.6667

在途3个工作日内发货

在途: 3000

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交59单

BSS123N

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C52205215

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

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SMT补贴嘉立创库存1554

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对比

7.6折

20+￥0.120916
200+￥0.09386
600+￥0.078812
3000+￥0.069768
9000+￥0.06194
21000+￥0.057684

现货最快4小时发货

现货: 1520

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

BSS123(UMW)

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5693003

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V；10Ω@4.5V

描述特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷。可在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或PWM应用。 ESD保护2KV HBM

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2680

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.1152
500+￥0.0894
3000+￥0.0751
6000+￥0.0665
24000+￥0.059
51000+￥0.055

现货最快4小时发货

现货: 2650

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

BSS123

品牌: YANGJIE(扬杰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C699301

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 5.5Ω@4.5V

描述Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。高密度单元设计，实现低RDS(ON)。快速开关速度

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SMT补贴嘉立创库存1070

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对比

20+￥0.1371
200+￥0.1092
600+￥0.0938

现货最快4小时发货

现货: 840

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交39单

BSS123W

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C21714181

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@4.5V

描述电流:170mA 电压:100V

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BSS123-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22470439

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@4.5V

描述数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V；10Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：680mW 阈值电压(Vgs(th))：1.4V@250uA

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BSS123

品牌: LGE(鲁光)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2903845

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述特性：低导通电阻：6Ω。低输入电容：20pF。低输出电容：9pF。低阈值：2.8V。快速开关速度：20nS。符合RoHS标准且无卤。应用：DC-DC转换器。手机及PCMCIA卡

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BSS123

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2926185

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

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BSS123-7-F

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41365200

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 290mA

导通电阻(RDS(on)): 2.7Ω@10V

描述N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

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BSS123

品牌: KUU

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5119541

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 150mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

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