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- 场效应管(MOSFET)
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- LRC(乐山无线电)
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- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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BSS123LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C78755

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

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10+￥0.2662
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现货: 451K+

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BSS123LT1G

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7419968

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述特性：低导通电阻。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关应用

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20+￥0.1607
200+￥0.125
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现货: 24K+

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LBSS123LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C8491

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

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现货: 16K+

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BSS123LT1G-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6285754

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

描述这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为100V电压系统设计，额定电流0.2A。适用于低功耗电子设备的电源切换、信号控制等应用，凭借其优越的低导通电阻与快速开关特性，有效提升设备能效并确保稳定运行。

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20+￥0.13508
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现货: 2200

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BSS123LT1G-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

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支付后5-7工作日

库存: 450K

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BSS123LT1G

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41365202

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 290mA

导通电阻(RDS(on)): 2.7Ω@10V；2.95Ω@4.5V

描述N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

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24000+￥0.0564
51000+￥0.052

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现货: 2400

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替代参考

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

ESBSS123LT1G

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42420862

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 290mA

导通电阻(RDS(on)): 2.95Ω@4.5V；2.7Ω@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：0.29A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V

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50+￥0.1222
500+￥0.0952
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现货: 2250

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LBSS123LT1G-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19188106

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 260mA

导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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