BSS138_BSS138采购信息-立创电子元器件商城-第6页

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爆款

BSS138LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C82045

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 5.6Ω@2.75V

描述特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

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10+￥0.245
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现货: 587K+

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BSS138LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

批次: 24+

立推售价

30000+￥0.124

支付后4-6工作日

库存: 300K

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BSS138W

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C28646265

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 220mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V；6Ω@4.5V

描述特性：VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

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SMT补贴嘉立创库存239K+

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20+￥0.1393
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现货: 207K

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BSS138

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420339

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V；1.2Ω@4.5V

描述特性：VDSS = 50V。 ID = 340mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 2.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 3.0Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

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50+￥0.1089
500+￥0.0905
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24000+￥0.0548
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BSS138

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C427380

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V；2Ω@4.5V

描述应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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爆款

BSS138

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C78284

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 220mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@4.5V

描述N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V

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50+￥0.1181
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51000+￥0.0638

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BSS138BK,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C282529

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 360mA

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

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BSS138PS,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-363(SC-88)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C193381

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 320mA

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述双N沟道,60V,320mA

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9.8折

5+￥0.3993
50+￥0.3499
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3000+￥0.286062
6000+￥0.27881

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BSS138-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C40912

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V

描述N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

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20+￥0.2425
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BSS138

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C52895

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 220mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V

描述这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

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10+￥0.4176
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300+￥0.3153
3000+￥0.1915
6000+￥0.1711
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BSS138

品牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C112239

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@2.75V

描述N沟道，60V，0.2A，RDS(on) = 3.5Ω@5V

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20+￥0.1075
200+￥0.0959
600+￥0.0894
3000+￥0.0677
9000+￥0.0644
21000+￥0.0626

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BSS138

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224260

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 400mA

导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω@10V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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SMT补贴嘉立创库存126K+

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50+￥0.0735
500+￥0.0605
3000+￥0.0517
6000+￥0.0474
24000+￥0.0437
51000+￥0.0416

现货最快4小时发货在途3个工作日内发货

现货: 108K+

在途: 111K

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立推

BSS138

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

批次: 26+

立推售价

60000+￥0.0352

支付后9-11工作日

库存: 2KK

3000个/圆盘

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BSS138K

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224263

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 400mA

导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω@10V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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SMT补贴嘉立创库存230K+

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10+￥0.0723
100+￥0.0593
300+￥0.0521
3000+￥0.0474
6000+￥0.0437
9000+￥0.0416

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现货: 230K+

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近期成交72单

BSS138PW,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C193366

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 320mA

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述N沟道,60V,320mA

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SMT补贴嘉立创库存19K+

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5+￥0.6087
50+￥0.4773
150+￥0.4116
500+￥0.3624
3000+￥0.3126
6000+￥0.2929

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现货: 18K+

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近期成交100单+

立推

BSS138PW,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-323

批次: 25+

立推售价

60000+￥0.251

支付后6-8工作日

库存: 201K

3000个/圆盘

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总额￥0

BSS138P,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C75547

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 360mA

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V

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SMT补贴嘉立创库存19K+

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10+￥0.2827
100+￥0.2234
300+￥0.1937
3000+￥0.1714
6000+￥0.1536
9000+￥0.1447

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现货: 18K+

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近期成交100单+

立推

BSS138P,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

批次: 2602.0

立推售价

21000+￥0.127

支付后6-8工作日

库存: 21K

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LBSS138LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C8490

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@5V

描述N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V

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SMT补贴嘉立创库存153K+

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对比

50+￥0.1309
500+￥0.1012
3000+￥0.0814
6000+￥0.0715
24000+￥0.0629
51000+￥0.0583

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现货: 149K+

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近期成交100单+

BSS138BKT116

品牌: ROHM(罗姆)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3289984

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 400mA

导通电阻(RDS(on)): 490mΩ@10V

描述特性：快速开关。超低电压驱动（2.5V驱动）。高达2kV（HBM）的ESD保护。无铅镀铅；符合RoHS标准。无卤素。应用：开关电路。低端负载开关

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29K+

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对比

10+￥0.3286
100+￥0.2614
300+￥0.2278
3000+￥0.2026
6000+￥0.1824
9000+￥0.1723

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现货: 29K+

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近期成交27单

BSS138PW

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18212688

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 360mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@4.5V

描述场效应管(MOSFET)

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对比

50+￥0.1306
500+￥0.1036
3000+￥0.0831
6000+￥0.0741
24000+￥0.0663
51000+￥0.062

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现货: 28K+

3000个/圆盘

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近期成交19单

BSS138BKS,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: TSSOP-6(SOT-363)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C456075

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 320mA

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述MOSFET 2N-CH

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SMT补贴嘉立创库存7611

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对比

5+￥1.0238
50+￥0.8053
150+￥0.7116
500+￥0.5948
3000+￥0.5428
6000+￥0.5116

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现货: 7445

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交31单

BSS138NH6327

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C94638

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 230mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V

描述N沟道

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12K+

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对比

5+￥0.5769
50+￥0.473
150+￥0.421
500+￥0.382
3000+￥0.2863
6000+￥0.2707

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现货: 11K+

3000个/圆盘

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近期成交100单+

BSS138BKWT106

品牌: ROHM(罗姆)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3290114

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 380mA

导通电阻(RDS(on)): 680mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存47K+

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对比

10+￥0.3774
100+￥0.2982
300+￥0.2586
3000+￥0.2289
6000+￥0.2052
9000+￥0.1933

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现货: 47K+

3000个/圆盘

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近期成交13单

BSS138W-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C24553

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V

描述N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

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对比

10+￥0.4269
100+￥0.347
300+￥0.3071
3000+￥0.2772
6000+￥0.2532
9000+￥0.2412

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现货: 10K+

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交100单+

BSS138AKAR

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C549756

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 2.7Ω@10V

描述N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装为小型 SOT23 (TO 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6096

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对比

5+￥0.6801
50+￥0.5347
150+￥0.4621
500+￥0.4076
3000+￥0.364
6000+￥0.3422

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现货: 6070

3000个/圆盘

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近期成交44单

BSS138P

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224269

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 400mA

导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω@10V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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BSS138W

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C504052

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 220mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(on)。坚固可靠。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等

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近期成交55单

BSS138DW-7-F-ES

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224288

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 410mA

导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V

描述带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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近期成交38单

BSS138

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C347484

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V；3.5Ω@2.5V

描述特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 50V。 ID = 300mA (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 2.5Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.5Ω (VGS = 2.5V)。低导通电阻。 ESD等级：1.5KV HBM

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